[实用新型]晶片承载台及晶片镶埋结构

说明书

本实用新型提供一种适于承载裸晶片的晶片承载台。晶片承载台包括底座以及环状垫。底座具有基面。环状垫位于底座的基面上，底座的基面与环状垫的顶面之间具有间距。环状垫的顶面与底座的基面构成晶片承载面，且裸晶片适于置于晶片承载面上。一种晶片镶埋结构亦被提出。经由本实用新型的晶片承载台，对使用其所制作的晶片镶埋结构的裸晶片进行抛光，可以提升晶片整体的平坦度。

技术领域

本实用新型涉及一种晶片承载台，尤其是涉及一种适于形成有蜡式晶片镶埋结构的晶片承载台及晶片镶埋结构。

背景技术

晶片(wafer)的加工流程可以包括长晶(crystal growth)、切片(slicing)、研磨(lapping)、蚀刻(etching)、抛光(polishing)和/或清洗(cleaning)等步骤。加工完成后的晶片可被称为裸晶片(bare wafer)。之后，可以在裸晶片的表面上进行对应的半导体工艺，而形成芯片。

在进行晶片的研磨或抛光步骤之前，可以会将蜡涂附在用于研磨或抛光的承载盘上。然后，将未被研磨或抛光的晶片贴附至承载盘上的蜡。接着，可以对承载盘和/或晶片施加适当的压力，而使未被研磨或抛光的晶片可以经由蜡而紧密地黏贴在承载盘上，以构成晶片镶埋结构。晶片镶埋结构可以包括承载盘、位于承载盘上的蜡以及镶埋于蜡的晶片。之后，再将前述的晶片镶埋结构移至研磨设备或抛光设备，以对晶片进行研磨或抛光。

裸晶片的平坦度会对半导体工艺的良率或质量有一定的影响。因此，如何提升裸晶片的晶片整体的平坦度，实已成目前亟欲解决的课题。

实用新型内容

本实用新型是针对一种晶片承载台，对使用其所制作的晶片镶埋结构的裸晶片进行抛光，可以提升晶片整体的平坦度。

根据本实用新型的实施例，晶片承载台适于承载裸晶片。晶片承载台包括底座以及环状垫。底座具有基面。环状垫位于底座的基面上。底座的基面与环状垫的顶面之间具有间距。环状垫的顶面与底座的基面构成晶片承载面，且裸晶片适于置于晶片承载面上。

在本实用新型的实施例中，其中：所述基面基本上为圆形，且所述基面具有基面直径；所述环状垫具有垫宽度；且所述垫宽度与所述基面直径的比值介于0.5％至3％。

在本实用新型的实施例中，其中：所述基面基本上为圆形，且所述基面具有基面直径；所述环状垫具有垫高度；且所述垫高度与所述基面直径的比值小于或等于0.7％。

在本实用新型的实施例中，其中：所述底座具有至少一凹陷；所述环状垫具有至少一凸起；且所述凸起嵌入于所述凹陷内。

在本实用新型的实施例中，其中：所述至少一凹陷为环状凹陷；所述至少一凸起为环状凸起。

在本实用新型的实施例中，其中：所述至少一凹陷为多个凹陷；所述至少一凸起为多个凸起；且所述多个凹陷的个数大于或等于所述多个凸起的个数。

在本实用新型的实施例中，其中所述环状垫包括：第一环，位于所述底座的所述基面上；以及第二环，位于所述第一环上，且至少覆盖所述第一环的顶面。

在本实用新型的实施例中，其中所述底座及所述环状垫为同一体。

在本实用新型的实施例中，所述的晶片承载台还包括：定位柱，位于所述基面的外侧，所述定位柱具有顶斜面，且所述顶斜面基本上至少朝向所述底座。根据本实用新型的实施例，晶片镶埋结构包括前述的芯片承载台、芯片、蜡以及承载盘。芯片、蜡以及承载盘置于芯片承载台的芯片承载面上，其中蜡位于芯片及承载盘之间。

基于上述，再对使用本实用新型的晶片承载台所制作的晶片镶埋结构的裸晶片进行抛光，可以提升晶片整体的平坦度。

为让本实用新型的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。

附图说明