[实用新型]一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器

权利要求书

1.一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，其特征在于，包括n×n个硅像素探测器的像素单元；

其中硅像素探测器的像素单元包括硅体(3)，硅体(3)其中一端的中间设置有中心阴极电极(4)，中心阴极电极(4)外围有间隔的设置有两个同心方形环阴极电极，依次是第一层方形环阴极电极(5)和第二层方形环阴极电极(6)，中心阴极电极(4)、第一层方形环阴极电极(5)和第二层方形环阴极电极(6)外面均包有阴极电极表面外的电极金属层(8)；阴极电极表面外的电极金属层(8)两两之间设置有二氧化硅保护层(7)；连接部电极金属层(9)通过连接中心阴极电极(4)、第一层方形环阴极电极(5)、第二层方形环阴极电极(6)外包裹的阴极电极表面外的电极金属层(8)，从而将中心阴极电极(4)、第一层方形环阴极电极(5)、第二层方形环阴极电极(6)连接起来；硅体(3)另一端设置有下表面阳极电极(2)，下表面阳极电极(2)外面包有阳极电极表面外的电极金属层(1)。

2.根据权利要求1所述的一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，其特征在于，所述二氧化硅保护层(7)厚度与电极金属层(8)等厚。

3.根据权利要求1所述的一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，其特征在于，所述连接部电极金属层(9)为杆型。

4.根据权利要求1所述的一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，其特征在于，所述阳极电极表面外的电极金属层(1)、阴极电极表面外的电极金属层(8)、连接部电极金属层(9)为铝材质。