[实用新型]一种用于带隙基准的电流修调电路

说明书

本实用新型公开了一种用于带隙基准的电流修调电路，涉及集成电路技术领域，电流修调电路并联在电流镜MOSFET的源极和漏极，电流修调电路包括多组并联的支路，每组支路结构相同包括开关和MOSFET管，开关的第一端连接MOSFET管的源极，各个开关的第二端依次相连，各个MOSFET管的漏极依次相连，各个MOSFET管的栅极接入与电流镜MOSFET的栅极相同的偏置电压，电流镜MOSFET的源极连接电源，电流镜MOSFET的漏极通过电阻接地，开关用于调整各支路的修调电流，进而调整电阻的输出电压。通过对MOSFET管进行修调大大降低了芯片面积，采用开关修调实现无次数限制修调且修调数值根据要求进行增加或减少。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其是一种用于带隙基准的电流修调电路。

背景技术

带隙基准电路能够输出一个不随电源电压和温度变化而变化的基准电压。输出基准电压对温度变化的敏感度是带隙基准电路的重要技术参数，即温度系数。

理论上设计合理的带隙基准电路具有良好的温度系数和线性度。但由于集成电路制造工艺中工序步骤繁多，电路中使用到的各个器件不可避免地会产生误差。这些工艺误差的积累最终会导致输出电压的数值、温度系数等参数达不到设计要求。

为了解决这个问题，修调电路通常在带隙基准设计中必不可少。通过合理调整修调电路，对芯片参数进行修正调节，最终使得实际生产完成的芯片的输出基准电压各项参数符合设计要求。

如图1所示，传统修调电路通常是对电阻进行修调，占用大量芯片面积。并且传统修调电路多用熔丝修调，这导致修调过程不可逆，且只能修调一次。当一次修调完成后，因工作环境变化、使用时间过长后引起输出电压参数不稳时，熔丝修调电路无法再次对电路输出电压进行修正。

实用新型内容

本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种用于带隙基准的电流修调电路，本申请将传统的电阻修调改为对MOSFET进行修调，大大降低了芯片面积，将熔丝修调改为开关修调，从而实现无次数限制修调且修调数值可以根据要求进行增加或减少。

本实用新型的技术方案如下：

一种用于带隙基准的电流修调电路，电流修调电路并联在电流镜MOSFET的源极和漏极，电流修调电路包括多组并联的支路，每组支路结构相同，均包括开关和MOSFET管，开关的第一端连接MOSFET管的源极，各个开关的第二端依次相连，且第二端的共端连接电流镜MOSFET的源极，各个MOSFET管的漏极依次相连，且MOSFET管的漏极共端连接电流镜MOSFET的漏极，各个MOSFET管的栅极均接入与电流镜MOSFET的栅极相同的偏置电压，电流镜MOSFET的源极与电流修调电路的共端还连接电源，电流镜MOSFET的漏极与电流修调电路的共端还通过电阻接地，开关用于调整电流修调电路各支路的修调电流，进而调整电阻的输出电压。

其进一步的技术方案为，MOSFET管的沟道长度与电流镜MOSFET的沟道长度相同，第K条支路的MOSFET管的沟道宽度为2^K-1n′，其中n′表示第一条支路的MOSFET管的沟道宽度，并根据修调电流的最小分辨电流进行取值。

其进一步的技术方案为，通过引出焊盘端口制作开关。

本实用新型的有益技术效果是：

本申请的电流修调电路完全兼容于普通BCD工艺，采用了开关修调的方式，避免了熔丝修调的一次性修调和不可逆修调，可移式实现无次数限制修调且修调数值可以根据要求进行增加或减少；由于该修调电路是电流修调，而非传统的电阻修调，避免了使用面积比较大的电阻阵列，只需要若干个占面积较小的MOSFET管即可，从而大大降低了芯片面积。

附图说明

图1是传统的电阻-熔丝串联结构电压式修调电路及其工作示意图。

图2是本申请提供的开关-MOSFET管并联结构电流式修调电路及其工作示意图。