[实用新型]一种用于半导体衬底晶片的全自动液体蜡上蜡系统有效
申请号: | 202022850139.9 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN213781993U | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 刘兴达;柯尊斌;王卿伟 | 申请(专利权)人: | 中锗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 李建芳 |
地址: | 211299 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 半导体 衬底 晶片 全自动 液体 上蜡 系统 | ||
本实用新型公开一种用于半导体衬底晶片的全自动液体蜡上蜡系统,包括第一导轨、衬底晶片存放区、机械手臂、旋转器、滴蜡枪、烘焙装置、可翻转机械手臂、粘接平台、冷却装置和第二导轨;衬底晶片存放区、旋转器、烘焙装置和可翻转机械手臂顺次间隔设置在第一导轨一侧,机械手臂设在第一导轨上,机械手臂行程在衬底晶片存放区、旋转器、烘焙装置和可翻转机械手臂之间;滴蜡枪设在旋转器上方;粘接平台和冷却台间隔设置在第二导轨一侧,冷却装置包括活动吸附装置和冷却平台,可翻转吸附平台的翻转行程在机械手臂和粘接平台之间;本实用新型使晶片抛光时受力均匀,极大地提升了上蜡效率;节省了液体蜡的用量,符合工业化生产要求。
技术领域
本实用新型涉及一种用于半导体衬底晶片的全自动液体蜡上蜡系统,属于抛光技术领域。
背景技术
随着半导体行业的不断发展,在后端外延过程中对衬底晶片的平整度有着越来越高的要求。而评估平整度的重要参数TTV与晶片加工过程中镜面抛光工序有重要的关系。目前,由于抛光、清洗工艺限制,部分高端应用衬底晶片抛光过程还需使用上蜡抛光。为利于晶片镜面抛光工序的顺利进行,一般利用固体蜡加热后融化,冷却后凝固的特性,将晶片固定在陶瓷盘上。然而,使用固体蜡时,通常需要用人工将固体蜡涂布在陶瓷盘上,不但劳动强度高工作效率低,而且因为固体蜡在陶瓷盘上的附着力不够或不均衡容易造成抛光产品平整度不好,表面质量差。为解决此问题,利用液体蜡的特性:常温下呈液态、流动性好,适合于用自动喷涂装置和微调控制装置进行喷涂,可获得超级平整的蜡层以制作高精度的衬底晶片。
实用新型内容
为克服现有技术不足,本实用新型旨于提供一种用于半导体衬底晶片的全自动液体蜡上蜡系统。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案如下:
一种用于半导体衬底晶片的全自动液体蜡上蜡系统,包括第一导轨、衬底晶片存放区、机械手臂、旋转器、滴蜡枪、烘焙装置、可翻转机械手臂、粘接平台、冷却装置和第二导轨;所述第一导轨和第二导轨相对设置,衬底晶片存放区、旋转器、烘焙装置和可翻转机械手臂顺次间隔设置在第一导轨一侧,机械手臂设在第一导轨上,机械手臂行程在衬底晶片存放区、旋转器、烘焙装置和可翻转机械手臂之间;滴蜡枪设在旋转器上方;粘接平台和冷却台间隔设置在第二导轨一侧,冷却装置包括活动吸附装置和冷却平台,活动吸附装置与第二导轨连接,行程在粘接平台和冷却平台之间;可翻转吸附平台的翻转行程在机械手臂和粘接平台之间。
工作原理:本实用新型用于半导体衬底晶片的全自动液体蜡上蜡系统,通过机械手臂将衬底晶片存放区的衬底晶片吸取转移至旋转器上,旋转器转动同时通过滴液枪将液体蜡滴到衬底晶片中心位置;通过控制滴蜡枪滴蜡时间和旋转器转速获得超薄超均匀的蜡层;通过机械手臂将涂有蜡层的衬底晶片转移至烘焙装置上,通过加热除去蜡层中的易挥发物质;通过机械手臂将烘焙装置上的衬底晶片转移至翻转机械手臂上,通过翻转机械手臂翻转180°将衬底晶片粘接至粘接平台加热好的陶瓷盘上;通过粘接平台将衬底晶片与陶瓷盘紧密贴合;通过冷却装置的活动吸附装置将整个陶瓷盘转移至冷却平台上,将陶瓷盘完全冷却。
优选,还包括密封框架和FFU风机过滤机组,FFU风机过滤机组设在密封框架顶部,第一导轨、衬底晶片存放区、机械手臂、旋转器、滴蜡枪、烘焙装置、可翻转机械手臂、粘接平台、冷却装置和第二导轨均设在密封框架内;能通过增加密封框架和FFU风机过滤机组,极大改善了上蜡环境,避免了过程中因环境中的落尘导致返工提高了成品率。
优选,密封框架四周均设有活动门,能方便取放衬底晶片。
所述机械手臂包括第一升降轴和抓手,第一升降轴一端与第一导轨相接,另一端与抓手相接,抓手上设有真空吸孔;能方便抓取衬底晶片,通过真空吸孔吸住衬底晶片。
所述旋转器包括带电机的吸附盘和环形挡板,环形挡板设在带电机的吸附盘外周;能吸附住衬底晶片,防止衬底晶片高速旋转时脱落。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造