[实用新型]一种新型激光重掺杂图形结构

权利要求书

1.一种新型激光重掺杂图形结构，包括第一硅片（1），其特征在于：所述第一硅片（1）两侧连接有第二硅片（2），所述第一硅片（1）上方固定安装有第一正面电极网版（13），所述第一正面电极网版（13）包括第一正面主栅线（14）、第一副栅线（16），所述第一正面主栅线（14）与第一副栅线（16）相互连接，所述第二硅片（2）上方固定安装有第二正面电极网版（212），所述第二正面电极网版（212）包括第二正面主栅线（26）、第二副栅线（27），所述第二正面主栅线（26）与第二副栅线（27）相互连接，所述第二正面电极网版（212）靠近第一正面电极网版（13）一侧固定连接有第一矩形连接栅（210），所述第二正面电极网版（212）通过第一矩形连接栅（210）与第一正面电极网版（13）连接，所述第二硅片（2）远离第二正面电极网版（212）一端固定安装有第二背面电极网版（28），所述第二背面电极网版（28）包括第二背面主栅线（29）、第二矩形连接栅（211），所述第二背面主栅线（29）与第二矩形连接栅（211）相互连接，所述第一硅片（1）远离第一正面电极网版（13）一端固定安装有第一背面电极网版（17），所述第一背面电极网版（17）包括第一背面主栅线（18），所述第一背面主栅线（18）与第一硅片（1）固定连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第一硅片（1）与第二硅片（2）连接处开设有第一凹槽（11），所述第一凹槽（11）上方固定安装有第一凸块（12），所述第二硅片（2）与第一硅片（1）连接处开设有第二凹槽（21），所述第二凹槽（21）下方固定安装有第二凸块（22），所述第一凸块（12）与第二凹槽（21）对应，所述第二凸块（22）与第一凹槽（11）对应，所述第一硅片（1）与第二硅片（2）通过第一凸块（12）、第二凹槽（21）、第二凸块（22）、第一凹槽（11）进行限位。

3.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第二硅片（2）远离第一硅片（1）一端开设有倒角（25）。

4.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第一硅片（1）与第二硅片（2）通过研磨固定连接。

5.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第一副栅线（16）连接有第一防断结构（15）。

6.根据权利要求1所述的一种新型激光重掺杂图形结构，其特征在于：所述第二副栅线（27）连接有第二防断结构（23），所述第二副栅线（27）远离有第二防断结构（23）一侧连接有第三防断结构（24）。