[实用新型]NLDMOS器件、锂电保护器件、芯片及电子产品有效

申请号：	202022856082.3	申请日：	2020-12-01
公开（公告）号：	CN213878099U	公开（公告）日：	2021-08-03
发明（设计）人：	宋利军;张子敏	申请（专利权）人：	无锡先瞳半导体科技有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L29/06;H01M10/42;H01M10/052
代理公司：	广东君龙律师事务所 44470	代理人：	朱鹏
地址：	214000 江苏省无锡市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	nldmos 器件保护芯片电子产品
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【说明书】：

本实用新型提供一种NLDMOS器件，还提供了一种锂电保护器件、芯片及电子产品；其中NLDMOS器件包括BN区域、位于BN区域上方的N型阱区，位于该N型阱区中部的漏极，以及位于该漏极两侧，且与该漏极反向设置的第一栅极区域和第二栅极区域，其中第一栅极区域和第二栅极区域均为Trench结构；本实施例中的NLDMOS器件通过将器件的栅极改成Trench结构，从而使NLDMOS器件整体的耐压区域和电流区域从水平方向转向了垂直方向，从而不仅NLDMOS器件整体的面积大大缩小了，NLDMOS器件的导通电阻也得到改善。

技术领域

本实用新型涉及锂电保护领域，尤其涉及一种NLDMOS器件，以及锂电保护器件、芯片及电子产品。

背景技术

传统的NLDMOS器件的结构决定了电流集中于器件表面，因为Nwell为耐压区，因此一般来说Nwell的长度比较打，加上Nwell是低阻参杂，所以整个NLDMOS器件的导通电阻就会比较大。随着现实需求的提高，需要更小面积的NLDMOS器件，以及更小的导通电阻。

实用新型内容

本实用新型提供一种用于锂电保护的器件，解决现有技术中，取样电阻的电阻值影响回路中的总电阻值，而导致整机待机时间下降的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种NLDMOS器件，包括：

BN区域；

位于所述BN区域上方的N型阱区；

位于所述N型阱区中部的漏极；

位于所述漏极两侧，且与所述漏极反向设置的第一栅极区域和第二栅极区域，所述第一栅极区域和所述第二栅极区域均为沟槽 (Trench)结构。

进一步的，所述NLDMOS器件的结构还包括：第一P型阱区和第二P型阱区，其中第一P型阱区位于所述第一栅极区域的另一侧；第二P型阱区位于所述第二栅极区域的另一侧。