[实用新型]一种碳化硅功率模块结构有效
| 申请号： | 202022864933.9 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN213816149U | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王志超 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L23/49;H01L23/15;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 模块 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅功率模块结构，其特征在于，包括底板以及与所述底板装配连接的外壳；其中，
所述底板上设置有覆铜基板，若干颗芯片并联对称分布，并通过焊料焊接在所述覆铜基板的覆铜层上，主电极端子和驱动电极端子均通过超声波焊接的方式与所述覆铜层焊接连接；
所有芯片的驱动端栅极均与驱动端栅极电极电连接，所有芯片的驱动端源极均与驱动端源极电极电连接，所有芯片的驱动辅助电极均从芯片的表面单独引出；
所述驱动端栅极电极与所述驱动端源极电极均设置在所述覆铜基板上，二者的电极端子均由所述外壳上对应位置的开孔引出；
碳化硅功率模块结构的源极和漏极的电极端子均由所述外壳上对应位置的开孔引出，并弯折。
2.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块结构，其特征在于，所述覆铜基板的覆铜层上共并联10颗芯片。
3.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块结构，其特征在于，所述覆铜基板通过焊料与所述底板焊接连接。
4.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块结构，其特征在于，所述芯片为SiC MOSFET芯片或IGBT芯片。
5.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块结构，其特征在于，所述底板为铝碳化硅底板。
6.根据权利要求1所述的碳化硅功率模块结构，其特征在于，所述覆铜基板为氮化铝基板。
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