[实用新型]一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构有效

专利信息
申请号: 202022867925.X 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN213654925U 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 晏鑫;李劲劲;何坤 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: F01D5/18 分类号: F01D5/18;F01D5/08;F01D9/02;F01D25/12
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 张海平
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 密封 出口 端壁槽缝 造型 结构
【权利要求书】:

1.一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,包括:上游端壁(1)和下游端壁(5);其特征在于,上游端壁边沿(2)与下游端壁边沿(3)组成所述端壁槽缝造型结构(6);

其中,上游端壁边沿(2)在周向上呈一维分布,下游端壁边沿(3)在周向上呈二维分布。

2.根据权利要求1所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,下游端壁边沿(3)在周向上的二维曲线由预定函数控制;

其中,所述预定函数的图形为光滑连续的,且在边界处满足周期性条件。

3.根据权利要求1所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述上游端壁(1)为静子或转子,所述下游端壁(5)为转子或静子。

4.根据权利要求2所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述下游端壁(5)设置有叶片(4)。

5.根据权利要求4所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述二维曲线沿在周向上周期性变化,周期与叶栅周期相同。

6.根据权利要求4所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述预定函数为高斯分布函数

式中,x表示周向坐标,μ为端壁槽缝造型结构最大宽度位置,σ为高斯函数标准差,π为圆周率常数;

所述高斯分布函数的原点为上游端壁边沿与下游端壁的叶片前缘对应的位置;

所述端壁槽缝造型结构宽度的变化规律表示为y=w/2*(1+f(x));

式中,w为根据槽缝有效面积S和槽缝长度l换算的当量宽度,w=S/l。

7.根据权利要求6所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述高斯分布函数中,μ的取值范围为(0,P),σ的取值范围为(1/6,1/9)P;其中,P为叶栅周期。

8.根据权利要求7所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述高斯分布函数中,μ=0.05P。

9.根据权利要求7所述的一种盘腔密封出口处的端壁槽缝造型结构,其特征在于,所述高斯分布函数中,μ=0.8P。

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