[实用新型]一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置。其中，所述原子层沉积腔室包括腔体，腔体的顶部设置有进气口，腔体的侧壁上设置有至少两个容纳槽，容纳槽用于容置工件，且工件的成膜区外露于腔体中，能够单次实现至少两个工件沉积，且避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。所述原子层沉积装置通过应用上述原子层沉积腔室，能够单次实现多个工件沉积，避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种原子层沉积腔室及原子层沉积装置。

背景技术

目前，现有的原子层沉积腔室，单次仅能沉积一片基板，且存在基板非成膜面成膜的情况。单次仅能沉积一片基板使得原子层沉积腔室利用率低，造成成本浪费；而基板非成膜面的成膜将导致后端需新增工艺刻蚀非成膜面，否则容易导致后端工艺腔污染。

因此，亟待需要一种原子层沉积腔室以解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一种原子层沉积腔室，单次实现多个工件沉积，且能够避免工件非成膜区成膜。

本实用新型的另一个目的在于提供一种原子层沉积装置，通过应用上述原子层沉积腔室，能够单次实现多个工件沉积，避免工件背面成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。

为实现上述目的，提供以下技术方案：

一方面，提供了一种原子层沉积腔室，包括腔体，所述腔体的顶部设置有进气口，所述腔体的侧壁上设置有至少两个容纳槽，所述容纳槽用于容置工件，且所述工件的成膜区外露于所述腔体中。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述进气口的出口端朝向所述腔体的侧壁。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述原子层沉积腔室还包括进气结构，所述进气结构包括进气通道和多个出气通道，所述进气通道与所述进气口相连通，多个所述出气通道的出口端朝向所述工件。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，多个所述出气通道沿竖直方向间隔设置呈多层，且每层包括多个所述出气通道。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述出气通道包括主气路和分气路，多个所述分气路对称设置在所述主气路的两侧。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述腔体的横截面形状为多边形。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述原子层沉积腔室还包括紧固结构，多个所述紧固结构设置在所述容纳槽的周侧，用于将所述工件固定在所述容纳槽中。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述紧固结构为卡扣，所述卡扣可转动地设置在所述腔体的内壁上，所述卡扣能够转动至抵压所述工件的位置。

作为所述原子层沉积腔室的可选方案，所述原子层沉积腔室还包括加热单元，每个所述工件对应设置有所述加热单元，所述加热单元设置在所述腔体的侧壁上，用于对所述工件进行加热。

另一方面，提供了一种原子层沉积装置，包括如上所述的原子层沉积腔室。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型提供的原子层沉积腔室，包括腔体，腔体的顶部设置有进气口，腔体的侧壁上设置有至少两个容纳槽，容纳槽用于容置工件，且工件的成膜区外露于腔体中，能够单次实现至少两个工件沉积，且避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。

本实用新型提供的原子层沉积装置，通过应用上述原子层沉积腔室，能够单次实现多个工件沉积，避免工件非成膜区成膜，减少后续加工工序，缩短工时，降低成本。

附图说明