[实用新型]一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 202022899285.0 申请日: 2020-12-07
公开(公告)号: CN214655367U 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 杨永江 申请(专利权)人: 华芯威半导体科技(北京)有限责任公司
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B23/00
代理公司: 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 代理人: 张宇锋
地址: 100744 北京市大兴区经济*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 可靠 腐蚀 结构 碳化硅 晶体生长 装置
【权利要求书】:

1.一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,包括石墨坩埚,石墨坩埚上设置有坩埚盖,坩埚盖的内侧固定设置有籽晶,石墨坩埚内装有原料,石墨坩埚的内侧壁以及内底壁分别贴有侧部石墨纸与底部石墨纸,其特征在于:所述石墨坩埚的内底壁外沿设置有环形容纳槽,环形容纳槽内可拆卸的设置有压环,压环的上表面与石墨坩埚的内底壁相平,底部石墨纸的外边缘与压环的外边缘相平齐,侧部石墨纸的底端与压环的底端相平并被卡紧在压环的外侧。

2.根据权利要求1所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述底部石墨纸的外端设置有向下延伸的筒状包覆环,筒状包覆环位于所述压环与侧部石墨纸之间。

3.根据权利要求1或2所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述底部石墨纸的外端通过耐高温胶与压环进行连接。

4.根据权利要求1所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述侧部石墨纸的底端设置有向内侧进行水平延伸的包覆环,包覆环位于所述压环的底部。

5.根据权利要求1所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述压环为石墨压环。

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