[实用新型]一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置有效
申请号: | 202022899285.0 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN214655367U | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
发明(设计)人: | 杨永江 | 申请(专利权)人: | 华芯威半导体科技(北京)有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/36 | 分类号: | C30B29/36;C30B23/00 |
代理公司: | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人: | 张宇锋 |
地址: | 100744 北京市大兴区经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 可靠 腐蚀 结构 碳化硅 晶体生长 装置 | ||
1.一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,包括石墨坩埚,石墨坩埚上设置有坩埚盖,坩埚盖的内侧固定设置有籽晶,石墨坩埚内装有原料,石墨坩埚的内侧壁以及内底壁分别贴有侧部石墨纸与底部石墨纸,其特征在于:所述石墨坩埚的内底壁外沿设置有环形容纳槽,环形容纳槽内可拆卸的设置有压环,压环的上表面与石墨坩埚的内底壁相平,底部石墨纸的外边缘与压环的外边缘相平齐,侧部石墨纸的底端与压环的底端相平并被卡紧在压环的外侧。
2.根据权利要求1所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述底部石墨纸的外端设置有向下延伸的筒状包覆环,筒状包覆环位于所述压环与侧部石墨纸之间。
3.根据权利要求1或2所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述底部石墨纸的外端通过耐高温胶与压环进行连接。
4.根据权利要求1所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述侧部石墨纸的底端设置有向内侧进行水平延伸的包覆环,包覆环位于所述压环的底部。
5.根据权利要求1所述的一种具有可靠耐腐蚀结构的碳化硅晶体生长装置,其特征在于:所述压环为石墨压环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华芯威半导体科技(北京)有限责任公司,未经华芯威半导体科技(北京)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022899285.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种含氰废水处理设备
- 下一篇:一种模具压料芯