[实用新型]一种多通道供电补偿系统有效
申请号: | 202022899358.6 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN214069813U | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 张志勇;钟选兵 | 申请(专利权)人: | 深圳市迈博芯科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人: | 张静汝 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通道 供电 补偿 系统 | ||
1.一种多通道供电补偿系统,其特征在于,包括:
主绕组L1和辅助绕组L2,主绕组L1上设置有第一电压输出端,辅助绕组L2上设置有第二电压输出端;
与主绕组L1相连的电压控制模组,其根据第一电压输出端的电压信号进行控制调整第一电压输出端的电压信号输出稳定;
功率补偿电路,其分别与第一电压输出端和第二电压输出端相连,以在辅助绕组L2供能不足时,将主绕组L1的能量供给至辅助绕组L2,保证第二电压输出端输出正常驱动负载工作的电压。
2.根据权利要求1所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,主绕组L1通过引线连接第一电压输出端和第一接地端,辅助绕组L2通过引线连接第二电压输出端和第二接地端,第二电压输出端的引线和第二接地端的引线之间并联有电容CE2。
3.根据权利要求2所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,功率补偿电路包括限流电阻R1、电阻R2、电阻R3和N型MOS管Q1,电阻R2和电阻R3相互串联,电阻R2的一端与第一电压输出端引线相连,电阻R3的一端与第一接地端的引线相连;N型MOS管Q1的栅极连接在电阻R2和电阻R3之间,其漏极通过限流电阻R1与第一电压输出端的引线相连,其源极分别与辅助绕组L2、第二电压输出端和电容CE2相连。
4.根据权利要求3所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,N型MOS管Q1替换为双极结型晶体管BJT,双极结型晶体管BJT的基极连接在电阻R2和电阻R3之间,其集电极通过限流电阻R1与第一电压输出端的引线相连,其发射极分别与辅助绕组L2、第二电压输出端和电容CE2相连。
5.根据权利要求2所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,功率补偿电路包括限流电阻R1、电阻R2、电阻R3和P型MOS管Q1,电阻R2和电阻R3相互串联,电阻R2的一端与第二电压输出端引线相连,电阻R3的一端与第二接地端的引线相连;P型MOS管Q1的栅极连接在电阻R2和电阻R3之间,其漏极通过限流电阻R1与第一电压输出端的引线相连,其源极与第一接地端的引线相连。
6.根据权利要求5所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,P型MOS管Q1替换为双极结型晶体管BJT,双极结型晶体管BJT的基极连接在电阻R2和电阻R3之间,其集电极通过限流电阻R1与第一电压输出端的引线相连,其发射极与第一接地端的引线相连。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,控制模组包括控制芯片和MOS管Q2,控制芯片的引脚GD与MOS管Q2的栅极相连,MOS管Q2的漏极连接有主绕组L3,主绕组L3与主绕组L1相互组合形成变压器T1。
8.根据权利要求7所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,主绕组L1的第一电压输出端的反馈点所连接的光耦输出部UA与控制芯片的引脚FB所连接的光耦输入部UB相互耦合进行将第一电压输出端的电压信号传输至控制芯片。
9.根据权利要求1-6任一项所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,控制模组包括控制芯片和MOS管Q2,控制芯片的引脚GD与MOS管Q2的栅极相连,MOS管Q2的漏极与主绕组L1相连。
10.根据权利要求9所述的一种多通道供电补偿系统,其特征在于,控制芯片的引脚FB分别通过电阻与第二接地端的接线和第一电压输出端相连,以进行获取主绕组L1的第一电压输出端的电压信号,且主绕组L1和辅助绕组L2均采用耦合绕组。
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