[实用新型]一种用于制备高散热激光器件的基板有效
申请号: | 202022901904.5 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN213636605U | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
发明(设计)人: | 李坤;孙雷蒙;杨丹 | 申请(专利权)人: | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/02315;H01S5/0232 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制备 散热 激光 器件 | ||
本实用新型涉及激光器件领域,提供了一种用于制备高散热激光器件的基板,该基板具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,基板上设有至少一个贯穿基板的收容槽;该收容槽包括槽壁,槽壁的靠近第一表面端凹陷形成第一定位台阶,该第一定位台阶用于支撑固定激光芯片,使得激光芯片的出光面朝向第二表面,非出光面朝向第一表面;该收容槽的介于第一表面所在平面和激光芯片的非出光面之间的空间用于设置金属散热器,使得激光芯片的非出光面可通过如金锡焊片直接连接至金属散热器上,以通过金属散热器直接进行散热,无需经过其它介质进行散热。因此,当使用本实用新型的基板制备激光器件时,能够显著提升激光器件的散热性能。
技术领域
本实用新型涉及激光器件领域,更具体而言,涉及一种用于制备高散热激光器件的基板。
背景技术
激光芯片的冷却和封装是制造大功率半导体激光器的重要环节,而激光器光束整形和激光集成技术是获得千瓦、万瓦级激光的主要途径。由于大功率半导体激光器的输出功率高、出光面积小,其工作时产生的热量密度很高,当芯片过热时,导致激光猝灭,会限制高功率激光输出。而目前现有激光器件的散热结构使得激光芯片与散热器之间存在多层介质,会降低散热效果,较难满足在散热要求更高的场景中进行应用。
实用新型内容
本实用新型提供一种用于制备高散热激光器件的基板,以解决现有激光器件的散热结构使其较难满足在散热要求更高的场景中进行应用的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了以下技术方案:
本实用新型提供了一种用于制备高散热激光器件的基板,所述基板具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面,所述基板上设有至少一个自所述第一表面朝向所述第二表面方向凹陷并贯穿所述第二表面形成的收容槽;所述收容槽包括槽壁,所述槽壁的靠近所述第一表面端凹陷形成第一定位台阶,所述第一定位台阶用于支撑固定激光芯片,使得激光芯片的出光面朝向所述第二表面;所述收容槽的介于所述第一表面所在平面和所述激光芯片的非出光面之间的空间用于设置金属散热器。
优选的,每个所述收容槽的外围均设有自所述第一表面朝向所述第二表面方向凹陷并贯穿所述第二表面形成的第一通槽;所述第一定位台阶包括用于支撑固定所述激光芯片的支撑面;所述基板上还设有自所述支撑面朝向所述第二表面方向凹陷并贯穿所述第二表面形成的第二通槽;所述第一通槽和所述第二通槽中均填充导电材料。
优选的,所述第一通槽沿垂直于所述第一表面方向设置;和/或
所述第二通槽沿垂直于所述第二表面方向设置。
优选的,所述基板上设有两个间隔设置的所述第一通槽以及两个间隔设置的所述第二通槽,两个所述第一通槽所在平面与两个所述第二通槽所在平面相互平行或重叠。
优选的,所述槽壁的靠近所述第二表面端凹陷形成第二定位台阶,所述第二定位台阶用于支撑固定透镜。
优选的,所述基板还包括连接所述第一表面和所述第二表面的侧壁,所述侧壁上设有第一卡扣件,所述第一卡扣件用于与保护罩上的第二卡扣件配合连接。
优选的,所述第一卡扣件为自所述侧壁凹陷形成的卡槽。
优选的,所述第二表面上还形成有线路,所述线路与所述激光芯片及所述金属散热器电性连接。
优选的,所述基板上还设有串口,所述线路与所述串口电性连接。
优选的,所述基板上设有6个收容槽。
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