[实用新型]硅片测试工装及系统有效
申请号: | 202022901995.2 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN214123898U | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/683;H01L21/66;H01L21/68 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 白杨 |
地址: | 242074 安徽省宣城市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 测试 工装 系统 | ||
本实用新型涉及硅片检测技术领域,提供一种硅片测试工装及系统,该硅片测试工装,包括:本体,为中间镂空的框形结构,具有适于承载硅片的承载台阶;所述承载台阶由所述本体的顶部内侧边缘向下凹陷形成。本实用新型提供的硅片测试工装,本体中间具有镂空的区域,并具有承载台阶,硅片放入镂空区域后,由承载台阶对硅片的边缘进行支撑,硅片的其余部分均不会接触到本体,而且硅片也不会接触到本体底部的测试台,可以保护硅片不受污染以及擦伤,有利于根据测试结果准确判断工艺是否存在缺陷;而且,还能解决硅片的测试定位问题,使得拍出的图片可以呈现出完整的硅片信息,有利于获取完整的检测数据,从而提高检测结果的准确度。
技术领域
本实用新型涉及硅片检测技术领域,具体涉及一种硅片测试工装及系统。
背景技术
硅异质结太阳能电池(semiconductor heterojunction,SHJ)技术近年来受到光伏学术界及工业界的广泛关注,因其开路电压高、转换效率高、温度系数低、工艺流程简单、无光致衰减等突出优点,成为高效太阳能电池技术的热门发展方向。
硅异质结太阳能电池的生产和研发过程中会对工艺过程中的半成品进行抽测或者监控,观察工艺是否正确或者工艺是否稳定。通常会采用光致发光(Photoluminescence,PL)测试系统对这些半成品进行检测,查看半成品是否存在缺陷。目前的测试方法是将半成品硅片直接放置于铜台上或者放置于无尘布上进行测试。
但是,目前半成品硅片可能是只镀完i层或者镀完pn层的硅片,这些硅片非常的怕脏污,如果直接放置于铜台或者无尘布上会导致硅片不同程度的受到污染,也可能导致一些擦伤,这将无法判断缺陷是工艺造成还是测试过程中产生,导致误导工艺判断。而且,如果将待测试的硅片直接放置于铜台或者无尘布上,尤其是直接放置于无尘布上时,难以对硅片进行精确定位,使得拍出的图片无法呈现出完整的硅片信息,将无法对硅片上没被拍到的部位是否存在缺陷进行判断,导致检测数据不完整。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中半成品硅片直接置于铜台或者无尘布上进行检测的方式,存在难以精准获取半成品硅片测试结果的缺陷,从而提供一种硅片测试工装及系统。
为解决上述技术问题,本实用新型的技术方案如下:
一种硅片测试工装,包括:本体,为中间镂空的框形结构,具有适于承载硅片的承载台阶;所述承载台阶由所述本体的顶部内侧边缘向下凹陷形成。
进一步地,所述承载台阶的宽度不大于其承载硅片的边缘空白区的宽度。
进一步地,所述承载台阶与所述本体的顶面之间的高度差为1.5-2.5mm之间。
进一步地,所述本体和所述承载台阶均呈方形,所述承载台阶上相邻两个侧边之间形成有斜边,所述本体上相邻两个侧边之间形成有与所述承载台阶的斜边对应的三角区。
进一步地,所述三角区的两条直角边的长度为8.5mm,所述承载台阶的斜边宽度为2mm。
进一步地,所述本体的其中一个侧边设置有适于在硅片的边缘进行硅片取放操作的缺口。
进一步地,所述缺口两端之间的距离为10-20mm。
进一步地,所述本体定位安装在一测试台上。
进一步地,所述本体采用铜、铝、聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯与聚丙烯中的任意一种材质制成。
另一方面,本实施例还提供了一种硅片测试系统,包括上述任意一项所述的硅片测试工装。
本实用新型技术方案,具有如下优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的