[实用新型]一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置有效
申请号: | 202022914910.4 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN214439092U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 山本晓;张海涛;刘良宏;许彬;庞博 | 申请(专利权)人: | 无锡吴越半导体有限公司 |
主分类号: | B01J19/26 | 分类号: | B01J19/26;B01J4/00;C01B21/06 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 氮化 材料 制备 喷嘴 装置 | ||
本实用新型涉及氮化镓制备相关组件结构技术领域,且公开了一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置,包括定位阶梯外框,定位阶梯外框的底部为开口状,所述定位阶梯外框的内侧设置有法兰衔接管,法兰衔接管的顶部端口法兰连接有石英制外容器,石英制外容器的内侧设置有石英制内容器和石英制导气管,石英制内容器的底部一端环形侧面设置有嵌入卡块,石英制导气管的末端以石英制内容器底部端口为中心环形设置有石英制喷头。该用于氮化镓材料制备的喷嘴装置,避免氨气和氯化镓直接提前进行混合反应,使得其所导出的氢气和氮气分别与氨气和氯化镓进行有效的分别混合之后再进行反应,从而有效的增加了原料的混合反应效率。
技术领域
本实用新型涉及氮化镓制备相关组件结构技术领域,具体为一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置。
背景技术
氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料,也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
氮化镓的制备需要经过多道工序的反应,其中需要将NH3和GaCl3进行高温混合反应,两者混合需要H2和N2作为媒介气体进行混合反应,以提高氮化镓生产的反应效率,但现有的氮化镓生产用喷头机构一般是将多种气体分别进行导入混合,但NH3和GaCl3在高温环境下为气态的物理特性,使得两者不能有效混合反应,降低了原料反应效率,因此发明人设计了一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置,解决上述技术问题,优化设备的喷嘴装置,提高原材料反应效率。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置,解决了氮化镓生产原料在进行高温反应时不能有效混合降低原料利用率的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种用于氮化镓材料制备的喷嘴装置,包括定位阶梯外框,定位阶梯外框的底部为开口状,所述定位阶梯外框的内侧设置有法兰衔接管,法兰衔接管的顶部端口法兰连接有石英制外容器,石英制外容器的内侧设置有石英制内容器和石英制导气管,石英制内容器的底部一端环形侧面设置有嵌入卡块,石英制导气管的末端以石英制内容器底部端口为中心环形设置有石英制喷头。
所述石英制内容器的正下方设置有内喷管,内喷管的顶部端口环形侧面开设有与嵌入卡块相适配的嵌入卡槽,石英制内容器上的嵌入卡块旋转卡入嵌入卡槽的内侧,法兰衔接管的内侧固定安装有中喷管,内喷管穿插在中喷管的内侧,所述内喷管和中喷管均为两级阶梯管,内喷管的阶梯衔接处与中喷管的内侧壁之间密封设置有内衔板,内衔板上均匀开设有内导流孔,中喷管的阶梯衔接处与法兰衔接管内侧壁之间密封设置有外衔板,外衔板上均匀开设有外导流孔。
所述石英制内容器的环形侧面安装有对中喷管端口相适配的防止扩散板,石英制导气管贯穿防止扩散板与石英制喷头相连接。
优选的,所述内喷管外侧壁、中喷管和放置扩散板之间组成内独立导气腔道,所述中喷管外侧壁、法兰衔接管和定位阶梯外框之间组成外独立导气腔道,所述石英制内容器和内喷管相互连通组成中心独立导气腔道。
优选的,所述中喷管的外侧壁与法兰衔接管和定位阶梯外框内侧壁之间均留有导流间隙,使得相对应腔体能够将原料气体进行有效导流。
优选的,所述法兰衔接管的底部端口与定位阶梯外框的内侧底部密封接触连接配合,保障结构之间导流配合的密封性。
优选的,所述嵌入卡块与相对应嵌入卡槽内侧壁之间的配合关系为间隙配合,保障石英制内容器与内喷管之间的稳定配合卡接。
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