[实用新型]单频半导体激光器纵模锁定装置有效
| 申请号： | 202022918774.6 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN213636606U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 张帆;何好;李鸿;刘迎宾 | 申请（专利权）人： | 深圳公大激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 锁定 装置 | ||
1.单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，包括第一半导体激光种子源、保偏环形器、1:999分束器以及第二半导体激光种子源；所述保偏环形器具有第一输入口、第一输出口以及第二输出口；所述第二半导体激光种子源产生第二脉冲信号，所述第二脉冲信号由所述第一输入口输入所述保偏环形器，并由所述第一输出口输出至第一半导体激光种子源，所述第一半导体激光种子源同时接收脉冲触发信号，生成纵模锁定的第一脉冲信号，所述第一脉冲信号由所述保偏环形器的第二输出口输出。
2.如权利要求1所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述第一半导体激光种子源连接有信号发生器、脉宽偏压驱动电流控制器以及ps-ns超高频脉冲驱动电路；所述信号发生器向发送脉冲触发信号，所述脉宽偏压驱动电流控制器向所述第一半导体激光种子源发送控制调谐信号，所述ps-ns超高频脉冲驱动电路向所述第一半导体激光种子源发送脉冲驱动信号。
3.如权利要求2所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述第二半导体激光种子源连接有TEC温控稳波长电路和mA精度电流调谐器，所述第二半导体激光种子源通过所述TEC温控稳波长电路和mA精度电流调谐器发出所述第二脉冲信号。
4.如权利要求3所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述保偏环形器的第二输出口连接有保偏隔离滤波器，所述第一脉冲信号通过所述保偏隔离滤波器的输出尾纤输出。
5.如权利要求1至4任一项所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述第一半导体激光种子源是FP-LD半导体激光器或DFB半导体激光器或DBR半导体激光器。
6.如权利要求1至4任一项所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述第二半导体激光种子源是产生单频脉冲信号的DFB半导体激光器或DBR半导体激光器。
7.如权利要求2至4任一项所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述信号发生器为任意波形发生器。
8.如权利要求2至4任一项所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述脉宽偏压驱动电流控制器为集成一体化的控制板。
9.如权利要求2至4任一项所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述ps-ns超高频脉冲驱动电路发送的脉冲驱动信号的范围为10ps-2ns之间。
10.如权利要求1至4任一项所述的单频半导体激光器纵模锁定装置，其特征在于，所述第一输入口、第一输出口以及第二输出口分别具有10dB-50dB的隔离度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳公大激光有限公司，未经深圳公大激光有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022918774.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能SDN网络控制器
- 下一篇：一种带收音机功能的便携式太阳能音响
