[实用新型]一种近红外光电探测器有效
| 申请号： | 202022919397.8 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN214254350U | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 龙明珠;栾佳宏;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L31/032;H01L31/101 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张建珍 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光电 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种近红外光电探测器，其特征在于，包括：
绝缘衬底；
电极，所述电极包括正极和负极，所述正极和所述负极间隔相对设置于所述绝缘衬底上；
石墨烯层，所述石墨烯层搭设于所述正极和所述负极上；
锡掺杂氧化钼纳米薄膜，所述锡掺杂氧化钼纳米薄膜叠设于所述石墨烯层上。
2.根据权利要求1所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底选自单晶硅衬底、石英玻璃衬底、云母衬底、SiO2衬底、Al2O3衬底、蓝宝石衬底、PET衬底中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述绝缘衬底为层叠设置的单晶硅衬底和SiO2衬底。
4.根据权利要求1所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述正极和所述负极均为金属电极。
5.根据权利要求4所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述电极的厚度为80～100nm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的近红外光电探测器，其特征在于，所述石墨烯层为单层或多层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
