[实用新型]一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈有效
申请号: | 202022923198.4 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN214327965U | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 李聪;庞炳远;杨洪星;张伟才;郑万超;杨静;索开南;陈晨;王雄龙 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C30B13/20 | 分类号: | C30B13/20;C30B29/06;H05B6/36 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 李美英 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 法制 单晶硅 加热 线圈 | ||
1.一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈,其特征在于:包括线圈主体(1)和线圈冷却水管(9),所述线圈冷却水管(9)嵌入所述线圈主体(1)内,线圈主体(1)为平板单匝结构,线圈主体(1)的上表面(1-4)设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ(5-1),在所述台阶Ⅰ(5-1)底部与线圈主体内圆(1-1)上边缘(1-2)之间设置上斜面(6);在线圈主体(1)下表面(1-5)设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ(5-2);在所述台阶Ⅱ(5-2)底部与线圈主体内圆(1-1)下边缘(1-3)之间设置下斜面(8);在所述线圈主体内圆(1-1)下边缘1-3)处,设置一圈圆弧凸起(7);在线圈主体内圆(1-1)处开有四个贯通上下表面(1-5)的十字狭缝,分别为狭缝Ⅰ(2-1)、狭缝Ⅱ(2-2)、狭缝Ⅲ(2-3)和狭缝Ⅳ(2-4),在线圈主体(1)外圆沿狭缝Ⅰ(2-1)方向的一侧设置连接电极的法兰(3),在所述法兰(3)与狭缝Ⅰ(2-1)间设置一条主缝(4),所述主缝(4)宽度逐渐减小延伸至法兰(3)处。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所,未经中国电子科技集团公司第四十六研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202022923198.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种石英管自动熔接装置
- 下一篇:一种出水口可调节的浮桶式曝气机