[实用新型]一种垂直UV LED芯片

权利要求书

1.一种垂直UV LED芯片，其特征在于，包括导电基板、外延层、高铝层、透明导电层和电极结构，所述电极结构设于导电基板和透明导电层之间，所述高铝层设于透明导电层和外延层之间，所述高铝层设有多个通孔，所述通孔呈阵列排布，所述高铝层由AlGaN制成，所述透明导电层填充到所述通孔内并与所述外延层形成导电连接。

2.如权利要求1所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述通孔的尺寸为(3～10)*(3～10)μm。

3.如权利要求2所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述高铝层设有m排和n列通孔，m≥3，n≥3，其中，单数排的通孔在双数列上，且双数排的通孔在单数列上。

4.如权利要求3所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，单数排的通孔对应设置在双数排相邻两个通孔的中心线上。

5.如权利要求4所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，同一排或同一列的通孔之间的距离为35～40μm。

6.如权利要求1所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述高铝层由Al_0.15Ga_0.85N、Al_0.2Ga_0.8N、Al_0.15Ga_0.85N、Al_0.25Ga_0.75N、Al_0.3Ga_0.7N、Al_0.35Ga_0.65N、Al_0.4Ga_0.6N或Al_0.45Ga_0.55N制成。

7.如权利要求6所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述高铝层的厚度为10～100nm。

8.如权利要求1所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述电极结构包括Ag层、TiW层和Pt层，所述Ag层设置在透明导电层和TiW层之间，所述Pt层设置在TiW层上。

9.如权利要求8所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述Pt层和导电基板之间设有AuSn层。

10.如权利要求9所述的垂直UV LED芯片，其特征在于，所述导电基板为导电硅基板。