[实用新型]低噪声放大器、低噪声放大电路与电子设备

说明书

本实用新型提供了一种低噪声放大器、低噪声放大电路与电子设备，其中的低噪声放大器，包括：共源共栅输入模块、负载模块与电流复用模块；共源共栅输入模块包括第一晶体管与第二晶体管；负载模块包括第一储能电感、第二储能电感与第三储能电感；第一晶体管的栅极直接或间接连接信号输入端，第一晶体管的漏极连接第二晶体管的源极，第二晶体管的漏极直接或间接连接电流复用模块的输入侧，以及第二储能电感的第一端，第一储能电感的第一端连接电流复用模块的输出侧，并经电流复用模块连接至电源，第一储能电感的第二端连接于第二储能电感与第三储能电感之间，第二储能电感的第二端连接第三储能电感的第一端，第三储能电感的第二端连接输出电容。

技术领域

本实用新型涉及信号处理领域，尤其涉及一种低噪声放大器、低噪声放大电路与电子设备。

背景技术

低噪声放大器(Low-Noise Amplifier，LNA)，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路，在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此需要减小这种噪声，以提高输出的信噪比。

现有技术中，低噪声放大器可采用共源共栅结构，并利用负载模块(例如变压器、多级谐振网络)作为负载，进而输出信号，但是，部分负载模块需自外部接入供电，外接的供电将带来额外的功耗，从而导致低噪声放大器的功耗较大。同时，变压器、多级谐振网络等负载模块还会造成芯片面积较大。

可见，现有技术中的低噪声放大器，存在功耗大以及芯片面积大的问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种低噪声放大器、低噪声放大电路与电子设备，以解决功耗大以及芯片面积大的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种低噪声放大器，包括：共源共栅输入模块、负载模块与电流复用模块；所述共源共栅输入模块包括第一晶体管与第二晶体管；所述负载模块包括第一储能电感、第二储能电感与第三储能电感；

所述第一晶体管的栅极直接或间接连接信号输入端，所述第一晶体管的漏极连接所述第二晶体管的源极，所述第二晶体管的漏极直接或间接连接所述电流复用模块的输入侧，以及所述第二储能电感的第一端；

所述第一储能电感的第一端连接所述电流复用模块的输出侧，并经所述电流复用模块连接至电源，所述第一储能电感的第二端连接于所述第二储能电感与所述第三储能电感之间，所述第二储能电感第二端连接所述第三储能电感的第一端，所述第三储能电感的第二端连接输出电容；

所述电流复用模块被配置为能够将其输入侧接收到的电流复用于所述负载模块。

可选的，所述电流复用模块输出侧的电流与所述电流复用模块输入侧的电流正相关。

可选的，所述电流复用模块包括第三晶体管与偏置电压单元；

所述第三晶体管的栅极直接或间接连接所述第二晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接所述第一储能电感的第一端，所述第三晶体管的漏极连接所述电源，所述偏置电压单元连接于所述第三晶体管的栅极与漏极之间，以在所述第三晶体管的栅极与漏极之间提供第一偏置电压。

可选的，所述偏置电压单元包括第一电阻与第一偏置电容；

所述第一电阻的第一端连接所述第三晶体管的漏极，所述第一电阻的第二端连接所述第三晶体管的栅极；所述第一偏置电容的第一端连接所述第三晶体管的漏极，所述第一偏置电容的第二端接地。

可选的，所述第三晶体管的尺寸小于所述第二晶体管的尺寸，所述第三晶体管的寄生电容的容量小于所述第二晶体管的寄生电容的容量。

可选的，所述的低噪声放大器，还包括隔直电容，所述第二晶体管的漏极通过所述隔直电容连接所述电流复用模块的输入侧。

可选的，所述的低噪声放大器，还包括偏置电压模块与源极退化电感；