[实用新型]晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置有效
| 申请号： | 202022941576.1 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN213752639U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 许庆丰 | 申请（专利权）人： | 许庆丰 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 李林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 加热 平台 水平 微调 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置，主要由固定板、调整台及微调装置所组成，该固定板连结调整台，使固定板能随着调整台的水平调整而同步移动，并在该调整台与该固定板间设有数位千分表以纪录微调数据，位于调整台的一侧边设置有两微调装置，其特征在于：该微调装置包括差动螺帽、刻环、微调外环、棘轮调节器及平移导轨，该差动螺帽螺固在该调整台上，并依序套设有刻环、微调外环及棘轮调节器，该平移导轨设置在该差动螺帽上，能凭借该棘轮调节器的把手进行该差动螺帽的微调，而该调整台对应于该差动螺帽的侧边设置有定位板，能固定该差动螺帽。
2.如权利要求1所述晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置，其特征在于：该棘轮调节器的把手能够连动一齿轮发生转动，齿轮的转动能够转动该轮调节器的套管，使该差动螺帽产生上升或下降。
3.如权利要求1所述晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置，其特征在于：该微调外环能调整该差动螺帽高度范围在正负30密耳内。
4.如权利要求1所述晶圆镀膜的加热平台的水平微调装置，其特征在于：该微调外环设有刻度，供纪录齿距的移动基准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
