[实用新型]一种IGBT单元组

说明书

本实用新型提供一种IGBT单元组，包括绝缘板，绝缘板的两侧面上由下至上依次平行叠设有冷却铜板、P向铜排、N向铜排和U向铜排；冷却铜板上设有冷却铜板用冷却铜管；P向铜排上设有P向铜排用冷却铜管；N向铜排上设有N向铜排用冷却铜管；U向铜排上设有U向铜排用冷却铜管；还包括IGBT模块，IGBT模块有两组，两组IGBT模块分别设于冷却铜板的两侧，IGBT模块上部的三个输出连接铜端子分别连接P相铜排,N相铜排和U相铜排。本申请中，铜排与铜排之间采用层叠平行分布的结构降低线路分布杂散电感，降低直流回路对后续IGBT单元组功率元件两端的反向峰值电压,降低对IGBT单元组内浪涌吸收电容回路的电压要求，提高功率元件IGBT单元组运行的可靠性和稳定性。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种IGBT单元组。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所述的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

现有的IGBT单元在接入电气设备中，其芯片所产生的热量会导致在局部热点上散热性较差，而芯片位于IGBT单元的表面，如何实现热传导，需要基于现有的IGBT单元进行改良和改善。

所以，针对现有技术存在的不足，有必要设计一种IGBT单元组，以解决上述问题。

实用新型内容

为克服上述现有技术中的不足，本实用新型目的在于提供一种IGBT单元组。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供的技术方案是：一种IGBT单元组，包括：

绝缘板；

冷却铜板，所述冷却铜板有两个，两个所述冷却铜板分别平行叠设于所述绝缘板的外侧，所述冷却铜板上设有冷却铜板用冷却铜管；

P相铜排，所述P相铜排有两个，两个所述P相铜排分别平行叠设于两个所述冷却铜板的外侧，所述P相铜排上设有P相铜排用冷却铜管；

N相铜排，所述N相铜排有两个，两个所述N相铜排分别平行叠设于两个所述P相铜排的外侧，所述N相铜排上设有N相铜排用冷却铜管；

U相铜排，所述U相铜排有两个，两个所述U相铜排分别平行叠设于两个所述N相铜排的外侧，所述U相铜排上设有U相铜排用冷却铜管；

IGBT模块，所述IGBT模块有两组，两组所述IGBT模块分别设于所述冷却铜板的两侧，所述 IGBT模块上部的三个输出连接铜端子分别连接所述P相铜排,所述N相铜排和所述U相铜排。

优选的技术方案为：每组所述IGBT模块对应设置有相同数量的浪涌吸收电容。

优选的技术方案为：所述P相铜排和所述冷却铜板之间设有P相绝缘胶片。

优选的技术方案为：所述N相铜排和所述P相铜排之间设有N相绝缘胶片。