[实用新型]一种低容值低残压ESD器件

权利要求书

1.一种低容值低残压ESD器件，包括低容二极管D1、低容二极管D2、低容二极管D3、场管T1、穿通型钳位TVS和低残压TVS管T2，其特征在于：所述低容二极管D1阳极与场管T1漏极固定连接，所述低容二极管D1与所述低容二极管D2阴极形成第一端口IO2，所述场管T1源端与低残压TVS管T2的阴极形成第二端口IO2，所述低残压TVS管T2阳极与所述低容二极管D2阳极形成第三端口GND，所述低容二极管D2包括第二PPlus层（209）和第四NPlus层（208），所述低残压TVS管T2包括N+衬底（100）、Epi（103）、第一Nwell层（201）和第一NPlus层（204），所述N+衬底（100）顶部设有N+埋层（101）和P+埋层（102），所述N+埋层（101）位于所述P+埋层（102）右侧，所述N+埋层（101）和P+埋层（102）顶部通过外延生产形成P-外延。

2.根据权利要求1所述的一种低容值低残压ESD器件，其特征在于：所述P-外延顶部通过光刻掩膜注入形成第一Nwell层（201）、第二Nwell层（202）和第三Nwell层（203），所述第一Nwell层（201）位于所述P-外延顶部右端，所述第二Nwell层（202）位于所述第一Nwell层（201）左侧，所述第三Nwell层（203）位于所述第二Nwell层（202）右端。

3.根据权利要求2所述的一种低容值低残压ESD器件，其特征在于：所述第一Nwell层（201）内壁固定安装第一NPlus层（204），所述第一Nwell层（201）左侧端部固定安装第三NPlus层（206），所述第三NPlus层（206）延伸至Epi（103）内侧，所述第三NPlus层（206）左侧设有第一PPlus层（207），所述第一PPlus层（207）固定安装在Epi（103）内壁，所述第一PPlus层（207）左侧设有第四NPlus层（208），所述第四NPlus层（208）固定安装在第二Nwell层（202）内壁。

4.根据权利要求3所述的一种低容值低残压ESD器件，其特征在于：所述第四NPlus层（208）左侧设有第二PPlus层（209），所述第二PPlus层（209）固定安装在Epi（103）内壁，所述第三Nwell层（203）内壁固定安装第五NPlus层（210）。

5.根据权利要求3所述的一种低容值低残压ESD器件，其特征在于：所述第一NPlus层（204）顶部固定安装第一金属电极（301），所述第三NPlus层（206）和所述第一PPlus层（207）顶部固定连接第二金属电极（302），所述第四NPlus层（208）顶部固定连接第三金属电极（303），所述第二PPlus层（209）和第五NPlus层（210）顶部固定安装第四金属电极（304）。

6.根据权利要求1所述的一种低容值低残压ESD器件，其特征在于：所述Epi（103）内壁设有沟槽隔离一（221）、沟槽隔离二（222）、沟槽隔离三（223）和沟槽隔离四（224），所述沟槽隔离一（221）位于N+埋层（101）右端顶部，所述沟槽隔离二（222）位于N+埋层（101）左端顶部，所述沟槽隔离三（223）位于P+埋层（102）右端顶部，所述沟槽隔离四（224）位于第三Nwell层（203）左侧。

7.根据权利要求5所述的一种低容值低残压ESD器件，其特征在于：所述第一金属电极（301）构成器件引出端IO2，所述第三金属电极（303）构成引出端IO1，所述第四金属电极（304）通过结构相连与背面金属共同构成引出端GND。