[实用新型]研磨垫及具有其的研磨装置有效
申请号: | 202022943908.X | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN213946060U | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 吴宇 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | B24B37/26 | 分类号: | B24B37/26 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 具有 装置 | ||
本实用新型提供了一种研磨垫及具有其的研磨装置。该研磨垫具有相对的非工作面和工作面,工作面具有旋转中心且工作时沿旋转中心周向旋转,工作面具有至少一个第一区域,在由旋转中心指向工作面的边缘的方向上,第一区域的第一长度由L1递增至L2并由L2递减至L3,第一长度为第一区域沿旋转方向的长度,工作面中除第一区域之外的区域为第二区域,位于第一区域中的工作面与非工作面之间的最大垂直距离为H1,位于第二区域中的工作面与非工作面之间的最大垂直距离为H2,H1<H2。上述研磨垫能够沿晶圆的边缘向中心区域的方向逐渐降低研磨量,避免了研磨后的晶圆背面沿靠近中部的方向逐渐凹陷,进而提高了减薄后晶圆背面的平坦化程度。
技术领域
本实用新型涉及研磨技术领域,具体而言,涉及一种研磨垫及具有其的研磨装置。
背景技术
在目前的NAND存储器的制作工艺中,在进行完晶圆键合的步骤之后,需要对表面形成有存储器阵列的晶圆背面进行减薄工艺。为了减少成本,目前的采用的通常是具有低空洞型原生为缺陷(Low COP)的晶圆。由于采用的上述晶圆种类中并不存在刻蚀停止层,从而导致传统的减薄工艺并不适用,对研磨工艺提出了更高的要求,现有技术中通常采用机械研磨(Grinding)与化学机械研磨(CMP)相结合进行背面减薄。
上述背面减薄工艺通常包括三个研磨步骤(Z1、Z2以及Z3),在Z1和Z2步骤中通过机械研磨(Grinding)去除大部分的厚度,然后通过化学机械研磨(CMP)对减薄的厚度进行精细控制。对于现有技术中的化学机械研磨(CMP)工艺而言,由于其并没有按研磨区域调整研磨垫的压力,从而易导致晶圆背面沿靠近中部的方向逐渐凹陷,使晶圆的剖面形成“V”形。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种研磨垫及具有其的研磨装置,以解决现有技术中晶圆的背面减薄工艺易导致晶圆背面沿靠近中部的方向逐渐凹陷的问题。
为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种研磨垫,该研磨垫具有相对的非工作面和工作面,工作面具有旋转中心且工作时沿旋转中心周向旋转,工作面具有至少一个第一区域,在由旋转中心指向工作面的边缘的方向上,第一区域的第一长度由L1递增至L2并由L2递减至L3,第一长度为第一区域沿旋转方向的长度,工作面中除第一区域之外的区域为第二区域,位于第一区域中的工作面与非工作面之间的最大垂直距离为H1,位于第二区域中的工作面与非工作面之间的最大垂直距离为H2,H1<H2。
进一步地,第一区域的几何重心距旋转中心的距离小于几何重心距工作面边缘的最小距离。
进一步地,第一区域沿旋转方向的最大长度为a,第一区域沿与旋转方向垂直的方向的最大长度为b,b>a。
进一步地,第一区域由旋转中心趋向工作面的边缘延伸且未与工作面的边缘接触;或第一区域由工作面的边缘趋向旋转中心延伸且未与旋转中心接触;或第一区域由旋转中心延伸至工作面的边缘。
进一步地,工作面包括平整的基面和凸出在基面上的多个凸起面,凸起面均位于第二区域中;或工作面包括平整的基面和凸出在基面上的多个凸起面,第一区域和第二区域中均形成有凸起部,凸起面为各凸起部远离非工作面一侧的表面,且第一区域中的凸起部的高度小于第二区域中的凸起部的高度。
进一步地,第一区域为多个,各第一区域沿旋转方向均匀分布。
进一步地,第一区域为偶数个,且两两第一区域呈中心对称。
进一步地,第一区域为三角形;或第一区域为梯形;或第一区域为由直线段和曲线段围成的图形;或第一区域为由第一曲线段和第二曲线段围成的图形。
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