[实用新型]基于双开关电容的载波聚合功率放大电路以及电子设备

权利要求书

1.一种基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，包括第一开关电容功率放大器、第二开关电容功率放大器、巴伦阻抗变压器和天线，所述第一开关电容功率放大器的输入端连接第一输入节点，所述第一开关电容功率放大器的输出端连接所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端；所述第二开关电容功率放大器的输入端连接第二输入节点，所述第二开关电容功率放大器的输出端连接所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第二端；所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的一端连接所述天线，所述巴伦阻抗变压器的次级线圈的另一端连接地；

所述第一开关电容功率放大器和所述第二开关电容功率放大器工作在不同的载波频率上。

2.根据权利要求1所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，所述第一开关电容功率放大器包括：第一晶体管、第一负载电容和第一电阻；所述第二开关电容功率放大器包括：第二晶体管、第二负载电容和第二电阻；

所述第一晶体管的控制极连接所述第一输入节点，所述第一晶体管的第一极接地，所述第一晶体管的第二极连接至所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端，所述第一负载电容的一端连接所述第一晶体管的第二极，所述第一负载电容的另一端接地，所述第一电阻的一端连接所述第一晶体管的第二极，所述第一电阻的另一端接地；

所述第二晶体管的控制极连接所述第二输入节点，所述第二晶体管的第一极接地，所述第二晶体管的第二极连接至所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第二端，所述第二负载电容的一端连接所述第二晶体管的第二极，所述第二负载电容的另一端接地，所述第二电阻的一端连接所述第二晶体管的第二极，所述第二电阻的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，还包括第一开关、第二开关、第一阻抗匹配网络和第二阻抗匹配网络；

所述第一开关的第一端连接所述第一晶体管的第二极，所述第一开关的第二端连接所述第一阻抗匹配网络的一端，所述第一阻抗匹配网络的另一端连接所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端；

所述第二开关的第一端连接所述第二晶体管的第二极，所述第二开关的第二端连接所述第二阻抗匹配网络的一端，所述第二阻抗匹配网络的另一端连接所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第二端。

4.根据权利要求3所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，所述第一阻抗匹配网络包括M个阻抗匹配单元；

所述M个阻抗匹配单元并联后的一端连接所述第一开关的第二端和所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第一端，所述M个阻抗匹配单元并联后的另一端接地；其中，M为大于或等于1的整数。

5.根据权利要求4所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，所述第二阻抗匹配网络包括N个阻抗匹配单元；

所述N个阻抗匹配单元并联后的一端连接所述第二开关的第二端和所述巴伦阻抗变压器的初级线圈的第二端，所述N个阻抗匹配单元并联后的另一端接地；其中，N为大于或等于1的整数。

6.根据权利要求2至5任一项所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，还包括相位控制单元、第一移相器和第二移相器，所述相位控制单元分别连接所述第一移相器的控制端和所述第二移相器的控制端；所述第一移相器的第一端连接所述第一输入节点，所述第一移相器的第二端连接所述第一晶体管的第一极；所述第二移相器的第一端连接所述第二输入节点，所述第二移相器的第二端连接所述第二晶体管的控制极。

7.根据权利要求6所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，所述相位控制单元包括相位控制器、第一分频器与第二分频器；所述相位控制器分别连接所述第一分频器的输入端与所述第二分频器的输入端，所述第一分频器的输出端连接所述第一移相器的控制端，所述第二分频器的输出端连接所述第二移相器的控制端。

8.根据权利要求2至5任一项所述的基于双开关电容的载波聚合功率放大电路，其特征在于，还包括幅度控制单元，所述幅度控制单元连接所述第一晶体管的控制极和所述第二晶体管的控制极。