[实用新型]一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管有效
申请号: | 202022950804.1 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN213340426U | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 李尧;潘淼;魏孔庭;吴蓉;刘春娟 | 申请(专利权)人: | 兰州交通大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 泰州淘权知识产权代理事务所(普通合伙) 32365 | 代理人: | 许霞 |
地址: | 730070 甘肃省兰*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 界面 诱导 光敏 有机 场效应 | ||
本实用新型公开了一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管,由栅极、栅介质、活性层、源极和漏极组成,还包括界面诱导层,界面诱导层设置于栅介质与活性层之间,本实用新型使用并五苯作为界面诱导层,能显著提高其上生长的活性层薄膜的质量。
技术领域
本实用新型涉及固体电子器件技术领域,具体涉及一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管。
背景技术
光敏有机场效应管通常由衬底、栅极、栅介质、有机活性层、源极和漏极组成。大部分有机半导体材料属于单载流子传输型,即它对一种载流子的迁移率远大于对另一种载流子的迁移率。通常电子迁移率远远大于空穴迁移率的材料称为电子传输型材料,简称n-型材料;而空穴迁移率远远大于电子迁移率的材料称为空穴传输型材料,简称p-型材料。在有机半导体中,电子在最低未占据轨道(Lowest unoccupied molecular orbital)-(LUMO)上传输,而空穴在最高已占据轨道(Highest occupied molecular orbital)-(HOMO)上传输。光敏有机场效应管通常采用底栅顶接触、底栅底接触、顶栅顶接触、顶栅底接触四种结构。在底栅底接触结构中,源漏电极在绝缘层与有机半导体之间,可以通过传统的光刻工艺图形化源漏电极,因此器件沟道长度可以做到1μm以下。在底栅顶接触结构中,半导体层淀积在绝缘层之上,在半导体层上面再生长金属电极形成源漏接触,顶接触结构的器件由于电极与有机层接触良好,因此具有非常好的性能。在顶栅底接触和顶栅顶接触中,器件栅电极是最后淀积上去的,而有机半导体层被衬底和绝缘层以及电极包裹,器件在空气中稳定性较好。与光敏无机场效应管相比,光敏有机场效应管具有光电转换效率高,可以大面积低成本制造等优点。单层光敏有机场效应管的活性层通常采用纯净的p-型或n-型光敏材料。
目前报道的单层光敏有机场效应管的栅介质层通常采用SiO2。由于SiO2栅介质表面存在大量不饱和的悬挂键和羟基键,这些悬挂键和羟基键会在栅介质表面形成高密度的陷阱态,它们会俘获传输的电子或空穴。在SiO2表面沉积的有机半导体薄膜的场效应迁移率通常较低,限制了光敏有机场效应管性能的提高。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
为了克服现有技术不足,现提出一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管,以解决上述背景技术中提出的问题。
(二)技术方案
本实用新型通过如下技术方案实现:本实用新型提出了一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管,由栅极、栅介质、活性层、源极和漏极组成,还包括界面诱导层,所述界面诱导层设置于栅介质与活性层之间。
进一步而言,所述栅极采用n+-Si栅极。
进一步而言,所述栅介质采用SiO2栅介质。
进一步而言,所述活性层采用酞菁铅。
进一步而言,所述界面诱导层采用并五苯。
进一步而言,所述界面诱导层厚度为2~4nm。
(三)有益效果
本实用新型相对于现有技术,具有以下有益效果:
本实用新型提到的一种具有界面诱导层的光敏有机场效应管,并五苯具有较高的迁移率,使用并五苯作为界面诱导层,能显著提高其上生长的活性层薄膜的质量。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图。
1-栅极;2-栅介质;3-活性层;4-源极;5-漏极;6-界面诱导层。
具体实施方式
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择