[实用新型]碳基场效应晶体管传感器有效
申请号: | 202022953776.9 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN214097255U | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 曹觉先;刘逸为;张志勇;赵为 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414;B82Y15/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人: | 王培松;王菊花 |
地址: | 411105 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 传感器 | ||
1.一种碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,包括:
位于底层的栅极;
位于栅极的一侧的第一介质层;
位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层;
位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层;
位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极,所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接;以及
位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层;
其中,所述敏感层作为传感器探针,被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。
2.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述第一介质层和第二介质层均采用高k介质层。
3.根据权利要求2所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述第一介质层和第二介质层均为薄膜介质层。
4.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述铁电材料层的厚度为6nm-12nm。
5.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述铁电材料层的厚度为8nm-10nm。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述铁电材料层被设置成工作在晶体极化饱和区间。
7.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述源极与漏极对称地分布在铁电材料层两侧,并且分别位于第二介质层一侧表面的相对的位置。
8.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述碳纳米管层包括网格状碳纳米管薄膜。
9.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所示铁电材料层与第二介质层叠加地夹在源极与漏极之间。
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