[实用新型]碳基场效应晶体管传感器有效

专利信息
申请号: 202022953776.9 申请日: 2020-12-08
公开(公告)号: CN214097255U 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 曹觉先;刘逸为;张志勇;赵为 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414;B82Y15/00;B82Y40/00
代理公司: 南京行高知识产权代理有限公司 32404 代理人: 王培松;王菊花
地址: 411105 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 场效应 晶体管 传感器
【权利要求书】:

1.一种碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,包括:

位于底层的栅极;

位于栅极的一侧的第一介质层;

位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层;

位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层;

位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极,所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接;以及

位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层;

其中,所述敏感层作为传感器探针,被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。

2.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述第一介质层和第二介质层均采用高k介质层。

3.根据权利要求2所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述第一介质层和第二介质层均为薄膜介质层。

4.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述铁电材料层的厚度为6nm-12nm。

5.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述铁电材料层的厚度为8nm-10nm。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述铁电材料层被设置成工作在晶体极化饱和区间。

7.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述源极与漏极对称地分布在铁电材料层两侧,并且分别位于第二介质层一侧表面的相对的位置。

8.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所述碳纳米管层包括网格状碳纳米管薄膜。

9.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器,其特征在于,所示铁电材料层与第二介质层叠加地夹在源极与漏极之间。

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