[实用新型]一种功率半导体器件均压结构有效
| 申请号： | 202022961342.3 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN214336702U | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李云鹏;谢剑;王治翔;王成昊;乔丽;高冲 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/32 | 分类号： | H01L23/32;H01L23/40;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 结构 | ||
1.一种功率半导体器件均压结构，其特征在于，包括：多个弹性件、定位装置和压装组件；
所述多个弹性件配合半导体组件的形状以阵列方式设置于所述半导体组件的一侧；
所述定位装置设置于所述半导体组件和弹性件之间，用于固定所述弹性件；
所述压装组件设置于所述多个弹性件、定位装置和所述半导体组件外侧，并将所述多个弹性件、定位装置和所述半导体组件进行压装。
2.如权利要求1所述的均压结构，其特征在于，所述弹性件包括碟簧(7)和导向杆(6)；
所述导向杆(6)具有凸缘结构，所述导向杆(6)的凸部穿过所述碟簧(7)固定于定位装置上。
3.如权利要求2所述的均压结构，其特征在于，所述导向杆(6)的凸部直径等于所述碟簧(7)的内径，所述导向杆(6)的平台直径大于所述碟簧(7)的内径。
4.如权利要求2所述的均压结构，其特征在于，所述半导体组件包括半导体器件(3)和与半导体器件(3)结构匹配的平压块(2)，所述平压块(2)的数量比半导体器件(3)的数量多一个，且与所述半导体器件(3)间隔设置。
5.如权利要求3所述的均压结构，其特征在于，所述定位装置为碟簧压块(4)，所述碟簧压块(4)具有多个凹槽，每个导向杆(6)的平台均设置于一个凹槽内，且所述凹槽的直径与所述导向杆(6)的平台直径相同，所述凹槽深度由所述导向杆(6)平台厚度与碟簧(7)的行程确定。
6.如权利要求5所述的均压结构，其特征在于，所述凹槽的深度大于所述导向杆(6)平台的深度与所述碟簧(7)的行程之和，小于所述碟簧压块(4)的厚度。
7.如权利要求5所述的均压结构，其特征在于，当所述半导体器件(3)的形状为方形时，所述多个凹槽呈矩形阵列布置。
8.如权利要求5所述的均压结构，其特征在于，当所述半导体器件(3)的形状为圆形时，所述多个凹槽呈中心阵列布置。
9.如权利要求1所述的均压结构，其特征在于，所述压装组件包括两块压板和紧固件；
所述两块压板设置于所述多个弹性件、定位装置和所述半导体组件外侧；所述紧固件穿过所述两块压板，并固定所述压板。
10.如权利要求4所述的均压结构，其特征在于，所述平压块(2)采用的器件包括散热器、绝缘板或者母排。
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