[实用新型]基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器

权利要求书

1.基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，包括：输入部、分束区域、传感区域；

所述输入部包括两个输入光纤、两个输入光纤空间光准直器；两个所述输入光纤分别与两个所述输入光纤空间光准直器对应连接；

所述分束区域包括两个偏振立方晶体分束器、吸光片(307F)；两个所述偏振立方晶体分束器分别与两个所述输入光纤空间光准直器对应连接；所述吸光片(307F)贴合于所述偏振立方晶体分束器的出射光面；

所述传感区域包括分别为设于Y轴、Z轴、X轴方向上的三个传感部，三个所述传感部分别与所述偏振立方晶体分束器连接。

2.根据权利要求1所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，所述输入光纤空间光准直器一端设有输入光纤空间光准直器输入端，两个所述输入光纤分别通过所述输入光纤空间光准直器输入端与两个所述输入光纤空间光准直器连接。

3.根据权利要求1所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，两个所述偏振立方晶体分束器并排设置，且两个所述偏振立方晶体分束器的入射光轴方向平行，垂直光轴方向成90°；两个所述偏振立方晶体分束器的参数相同。

4.根据权利要求3所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，两个所述偏振立方晶体分束器均采用半反半透镜，所述吸光片(307F)贴合于一个所述偏振立方晶体分束器的出射光面，所述出射光面的方向与所述入射光轴的方向相同。

5.根据权利要求1所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，每个所述传感部均包括依次连接的旋光组合片、输出光纤空间光准直器、输出光纤；所述输出光纤上设有检偏器；所述输出光纤空间光准直器设有输出光纤空间光准直器输出端，所述出光纤空间光准直器通过所述输出光纤空间光准直器输出端与所述输出光纤连接。

6.根据权利要求5所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，所述旋光组合片包括两个四分之一波片、一个法拉第旋转效应片，所述法拉第旋转效应片设于两个所述四分之一波片之间。

7.根据权利要求6所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，所述旋光组合片中的两个四分之一波片的快轴角度不同，第一片四分之一波片的快轴角度为45°，第二片四分之一波片的快轴为-45°。

8.根据权利要求1所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，所述光纤矢量弱磁场传感器(3)还包括封装外壳(308)。

9.根据权利要求1所述的基于法拉第旋光效应的光纤矢量弱磁场传感器，其特征在于，所述光纤矢量弱磁场传感器(3)还包括三个单轴检偏器封装结构，三个所述单轴检偏器封装结构均包括检偏器封装外壳，三个所述检偏器封装外壳分别用于对Y轴、Z轴、X轴上的检偏器进行封装。