[实用新型]一种半导体激光器耦合装置有效
申请号: | 202022971042.3 | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN214174685U | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 赵景峰 | 申请(专利权)人: | 武汉森普拓光电有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 湖北天领艾匹律师事务所 42252 | 代理人: | 杨建军 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体激光器 耦合 装置 | ||
1.一种半导体激光器耦合装置,包括基座(8),盖板(6),连接块(5),所述盖板(6)固定连接在所述基座(8)的顶部,所述连接块(5)固定连接在所述基座(8)的左侧,所述基座(8)内部固定设置有半导体激光器(7),其特征在于,所述连接块(5)上固定连接光纤限位块(3),所述光纤限位块(3)的内部长度方向上设置有光纤凹槽(303),所述光纤凹槽(303)用于固定光纤(2),所述光纤限位块(3)的一端依次贯穿连接块(5)、基座(8)且与所述的半导体激光器(7)左侧发光面耦合。
2.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤凹槽(303)彼此之间相互平行。
3.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)的一端与所述的半导体激光器(7)左侧发光面不相连、留有间隙,所述间隙长度在10-100微米之间;所述光纤凹槽(303)中的光纤(2)和所述的半导体激光器(7)左侧发光面上的发光点一一对应耦合。
4.如权利要求3所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)一端包括凸部(304),所述凸部(304)与所述的半导体激光器(7)左侧发光面不相连、留有间隙,所述间隙长度在10-100微米之间。
5.如权利要求1或3所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)包括光纤限位上块(301)和光纤限位下块(302),所述光纤限位上块(301)和所述光纤限位下块(302)通过螺丝固定连接,所述光纤凹槽(303)设置在光纤限位上块(301)的底部。
6.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)通过螺丝固定连接在所述连接块(5)上。
7.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)的左侧固定连接固定块(1),所述固定块(1)的内部是中空的。
8.如权利要求7所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,从所述光纤凹槽(303)中延伸出来的光纤(2)穿过所述固定块(1)内部,且所述固定块(1)内部填满紫外胶将光纤(2)固定。
9.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述半导体激光器(7)与所述基座(8)之间放置有一层铟片,且所述半导体激光器(7)与所述基座(8)通过螺丝固定连接。
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