[实用新型]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202022971667.X | 申请日: | 2020-12-11 |
公开(公告)号: | CN213583791U | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 袁彬彬;张雷超;王冲冲;苏远安 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G06F3/041 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本实用新型实施例公开了一种显示面板和显示装置,该显示面板包括基板;发光器件层、薄膜封装层,薄膜封装层包括叠层设置的无机层和有机层,有机层位于无机层远离基板的一侧;触控层,位于薄膜封装层远离基板的一侧,至少部分触控层位于无机层和有机层之间,且触控层和薄膜封装层共用有机层。相对于现有技术,本实施例提供的技术方案采用有机层替代触控层中原有的无机绝缘层使得显示面板的触控层更耐弯折,同时降低了触控层和薄膜封装层的整体厚度,减小了触控层与屏体中性层之间的距离,从而降低了触控层在卷曲或弯折时受到的应力,进而降低了触控层出现膜层断裂的风险,有利于提高显示面板的耐弯折性。
技术领域
本实用新型实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,卷曲屏和可弯折屏等柔性显示越来越受到人们的关注。
其中,为了改变显示面板的耐弯折特性,现有技术中的触控结构通常采用on-cell的方式设置在显示面板上。但是在对显示面板进行卷曲测试或使用过程中,会存在触控膜层容易发生无机绝缘层或金属线断裂的问题,降低了触控效果。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种显示面板和显示装置,以提升显示面板的耐弯折性,降低显示面板出现膜层损伤或金属线断裂的风险。
第一方面,本实用新型实施例提供了一种显示面板,包括:基板;
发光器件层,位于所述基板上;
薄膜封装层,位于所述发光器件层远离所述基板的一侧,所述薄膜封装层包括叠层设置的无机层和有机层,所述有机层位于所述无机层远离所述基板的一侧;
触控层,位于所述薄膜封装层远离所述基板的一侧,至少部分所述触控层位于所述无机层和所述有机层之间,且所述触控层和所述薄膜封装层共用所述有机层。
可选地,所述无机层包括第一无机层和第二无机层,所述第一无机层位于所述发光器件层远离所述基板一侧,所述有机层位于所述第一无机层远离所述基板一侧,所述第二无机层位于所述有机层远离所述基板一侧。
可选地,所述触控层包括触控电极层,所述触控电极层包括第一触控电极层和第二触控电极层;
所述第一触控电极层包括多个第一触控电极,所述第二触控电极层包括多个第二触控电极,沿第一方向,相邻的所述第一触控电极通过连接桥电连接,沿第二方向,相邻的所述第二触控电极电连接,所述第一方向与所述第二方向交叉,并且均与所述薄膜封装层的厚度方向垂直;
所述第一无机层远离所述基板一侧依次设置有所述连接桥、所述有机层和所述第二无机层,所述第一触控电极层和所述第二触控电极层位于所述第二无机层远离所述基板一侧,且同层设置。
可选地,所述触控层包括触控电极层,所述触控电极层包括第一触控电极层和第二触控电极层;
所述第一触控电极层包括多个第一触控电极,所述第二触控电极层包括多个第二触控电极,沿第一方向,相邻的所述第一触控电极通过连接桥电连接,沿第二方向,相邻的所述第二触控电极电连接,所述第一方向与所述第二方向交叉,并且均与所述薄膜封装层的厚度方向垂直;
所述第一无机层远离所述基板一侧依次设置有所述有机层、所述第二无机层和所述连接桥,所述第一触控电极层和所述第二触控电极层位于所述第一无机层远离所述基板一侧,且同层设置。
可选地,所述无机层包括第一无机层和第二无机层,所述第一无机层位于所述发光器件层远离所述基板一侧,所述第二无机层位于所述第一无机层远离所述基板一侧,所述有机层位于所述第二无机层远离所述基板一侧。
可选地,所述第二无机层位于所述第一无机层上方,并与所述第一无机层接触。
可选地,所述触控层还包括有机胶层,所述有机胶层位于所述触控电极层远离所述基板一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的