[实用新型]一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构有效

专利信息
申请号: 202022977172.8 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN213988866U 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 周炳;赵承杰;王源政 申请(专利权)人: 张家港意发功率半导体有限公司
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/29;H01L29/06;H01L29/739
代理公司: 苏州国诚专利代理有限公司 32293 代理人: 王丽
地址: 215600 江苏省苏州市张*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二维 沟槽 高压 soi ligbt 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种二维沟槽型高压SOI‑LIGBT结构,包括衬底衬底的上端设有结构本体,结构本体的下端开设有凹槽,衬底的上端齿牙,齿牙的外侧插接于凹槽内,衬底的外壁设有弹性层,弹性层的外侧设有防腐层,防腐层的外侧设有耐磨层。该结构设有多个防护层可以对SOI‑LIGBT结构进行充分的保护;通过齿牙插入到凹槽中,在采用粘胶进行固定,使得衬底与结构本体之间的连接较为紧密。

技术领域

本实用新型属于SOI-LIGBT结构技术领域,具体为一种二维沟槽型高压 SOI-LIGBT结构。

背景技术

SOI-LIGBT器件是单片智能功率芯片是一种功能与结构高度集成化的高低压兼容芯片,其内部集成了高压功率器件、高低压转换电路及低压逻辑控制电路等。

现有的SOI-LIGBT结构使用一段时间后,常常因为防护不佳导致结构的使用效果较差,并且不能将结构本体与衬底进行紧密的连接,仅仅采用胶粘的方式,很容易使得结构和衬底之间脱节,影响结构的正常使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构,以解决结构防护效果差的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种二维沟槽型高压 SOI-LIGBT结构,包括衬底,所述衬底的上端设有结构本体,结构本体设置在衬底的上端,所述结构本体的下端开设有凹槽,所述衬底的上端齿牙,结构本体通过凹槽可以插入到衬底的齿牙上,并且齿牙和凹槽之间涂覆有粘胶,使得衬底和结构本体的连接极为稳定,所述齿牙的外侧插接于凹槽内,所述衬底的外壁设有弹性层,弹性层固定粘接在衬底的外壁,所述弹性层的外侧设有防腐层,防腐层涂敷在弹性层的外侧,所述防腐层的外侧设有耐磨层,耐磨层涂敷在防腐层的外侧。

优选的,所述弹性层采用耐热橡胶制成,具有一定的弹性可以为结构进行缓冲保护。

优选的,所述防腐层采用防腐漆,具有极强的耐腐效果,可以为结构提供耐腐保护。

优选的,所述耐磨层采用水性涂料,具有一定的耐磨效果,可以为结构提供耐磨保护。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1.该结构设有多个防护层可以对SOI-LIGBT结构进行充分的保护。

2.该结构可以通过齿牙插入到凹槽中,在采用粘胶进行固定,使得衬底与结构本体之间的连接较为紧密。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图;

图2为本实用新型的衬底与结构本体连接截面图;

图3为本实用新型的衬底与结构本体分开结构示意图。

图中:1、衬底;2、结构本体;3、齿牙;4、凹槽;5、弹性层;6、防腐层;7、耐磨层。

具体实施方式

请参阅图1-图3,一种二维沟槽型高压SOI-LIGBT结构,包括衬底1,所述衬底1的上端设有结构本体2,结构本体2设置在衬底1的上端,所述结构本体2的下端开设有凹槽4,所述衬底1的上端齿牙3,结构本体2通过凹槽 4可以插入到衬底1的齿牙3上,并且齿牙3和凹槽4之间涂覆有粘胶,使得衬底1和结构本体2的连接极为稳定,所述齿牙3的外侧插接于凹槽4内,所述衬底1的外壁设有弹性层5,弹性层5固定粘接在衬底1的外壁,所述弹性层5的外侧设有防腐层6,防腐层6涂敷在弹性层5的外侧,所述防腐层6 的外侧设有耐磨层7,耐磨层7涂敷在防腐层6的外侧。

请参阅图2和图3,所述弹性层5采用耐热橡胶制成,具有一定的弹性可以为结构进行缓冲保护。

请参阅图2和图3,所述防腐层6采用防腐漆,具有极强的耐腐效果,可以为结构提供耐腐保护。

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