[实用新型]一种具有缓冲层结构的半导体器件

权利要求书

1.一种具有缓冲层结构的半导体器件，包括依次设置的第一掺杂剂区域(1)、第二掺杂剂区域(2)、第三掺杂剂区域(3)，其特征在于，

还包括在第一掺杂剂区域(1)和第三掺杂剂区域(3)之间还至少包括另外一个掺杂剂区域。

2.根据权利要求1所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述另外一个掺杂剂区域包括在第一掺杂剂区域(1)和第二掺杂剂区域(2)设置的上掺杂剂区域(4)和在第二掺杂剂区域(2)和第三掺杂剂区域(3)设置的下掺杂剂区域(5)。

3.根据权利要求2所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述上掺杂剂区域(4)和下掺杂剂区域(5)位于承受耐压的PN结位置。

4.根据权利要求2所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述上掺杂剂区域(4)和下掺杂剂区域(5)与第二掺杂剂区域(2)的掺杂类型相同。

5.根据权利要求2所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述上掺杂剂区域(4)和下掺杂剂区域(5)为N型掺杂。

6.根据权利要求2所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述上掺杂剂区域(4)和下掺杂剂区域(5)的掺杂浓度大于第二掺杂剂区域(2)的浓度，且小于第三掺杂剂区域(3)的峰值浓度。

7.根据权利要求1所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述另外一个掺杂剂区域包括设置在第二掺杂剂区域(2)中间的中部掺杂剂区域(6)。

8.根据权利要求7所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，所述中部掺杂剂区域(6)两侧分别为第二掺杂剂上区域(21)和第二掺杂剂下区域(22)；所述中部掺杂剂区域(6)的厚度均小于第二掺杂剂上区域(21)和第二掺杂剂下区域(22)的厚度。

9.根据权利要求7所述的一种具有缓冲层结构的半导体器件，其特征在于，若中部掺杂剂区域(6)的掺杂类型和第二掺杂剂区域(2)被其分割的两部分类型相同，中部掺杂剂区域(6)掺杂浓度大于第二掺杂剂区域(2)的掺杂浓度。