[实用新型]LED外延结构和LED器件

权利要求书

1.一种LED外延结构，其从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、N型半导体层、多量子阱区、和P型半导体层，其特征在于，

所述LED外延结构还包括设于多量子阱区下方的至少一组电子富集层组，于每组所述电子富集层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递增的多层掺In电子富集层；

所述多量子阱区内包括多个交替堆叠设置的势阱层组和势垒层，于每组所述势阱层组内，堆叠设有In掺杂浓度从下至上依次递减的多层掺In势阱层。

2.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述电子富集层组的数量为3～6组，多组所述电子富集层组之间，所述电子富集层In掺杂浓度循环周期性变化。

3.根据权利要求2所述的LED外延结构，其特征在于，每组所述电子富集层组内设有2～4层所述电子富集层，所述电子富集层为In_aGa_(1-a)N，其中0.1＜a＜0.3。

4.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱区内设有3～10对交替堆叠设置的所述势阱层组和所述势垒层。

5.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，每组所述势阱层组内设有3～8层所述势阱层，所述势阱层为In_bGa_(1-b)N，其中0.1＜b＜0.3。

6.根据权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，所述势垒层为Al_cGa_(1-c)N，其中0.1＜c＜0.3。

7.根据权利要求6所述的LED外延结构，其特征在于，每层所述势垒层与其下方的所述势阱层组之间还设有一层掺杂Al的界面过渡层，所述界面过渡层中的Al掺杂浓度高于所述势垒层中的Al掺杂浓度，所述界面过渡层为Al_dGa_(1-d)N，其中c＜d＜0.3。

8.根据权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，于每组所述势阱层组下方还设有一层插入层，其禁带宽度小于所述势阱层的禁带宽度，所述插入层为InN层，其厚度范围为0.5～1nm。

9.一种LED器件，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的LED外延结构、N电极和P电极，所述N电极与所述N型半导体层欧姆接触连接，所述P电极与所述P型半导体层欧姆接触连接。