[实用新型]旋转装置有效
申请号: | 202023005228.X | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN214004780U | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 施建新;蒲勇 | 申请(专利权)人: | 芯三代半导体科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市中国(江苏)*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 旋转 装置 | ||
本实用新型公开了一种旋转装置,包括:具有反应腔的反应器;壳体,设置在反应器的底部,壳体包括容纳腔,容纳腔和反应腔相连通;旋转轴,绕自身轴线可转动地设置在壳体的容纳腔内,且旋转轴的一端伸至反应腔内;旋转盘,和旋转轴伸至反应腔的一端连接;石墨托盘,支撑在旋转盘上;加热组件,设置在反应腔内,用于对石墨托盘加热;无框电机,包括转子和定子,定子固定设置在壳体上,转子套设在旋转轴的外侧壁上且对应设置在定子的内部。本实用新型由于采用无框电机直接驱动旋转轴转动,对旋转轴仅仅施加旋转的力矩,而无侧向力,使得旋转装置的旋转更为平稳和可靠。
技术领域
本实用新型涉及化学气相沉积(CVD)设备领域,尤其涉及一种旋转装置。
背景技术
用于制备薄膜材料的CVD设备(例如MOCVD、SiC-CVD等设备)是一种集真空、高温、高速旋转等技术为一体的高科技装备。反应气体流经被加热的基片(即衬底)表面,发生化学反应生成GaN、 AlN、SiC或其他材料的单晶薄膜。在该类设备中,一般采用旋转轴驱动石墨托盘旋转。具体地,旋转轴的上端安装有旋转盘,旋转盘上支撑有石墨托盘,旋转轴的下端安装有从动轮,从动轮通过同步带和电机的驱动端安装的主动轮连接。旋转时,电机通过带传动结构驱动旋转轴带动旋转盘及石墨托盘转动。
然而,采用带传动结构驱动旋转轴转动时,同步带具有一定的预紧力,容易对旋转轴产生一定的侧向力,高速旋转时这种侧向力还会加大,导致设备的旋转平稳性变差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种旋转装置,以解决现有技术中采用带传动结构驱动旋转轴转动时,同步带具有一定的预紧力,容易对旋转轴产生一定的侧向力,高速旋转时这种侧向力还会加大,导致设备的旋转平稳性变差的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是提供一种旋转装置,包括:
具有反应腔的反应器;
壳体,设置在所述反应器的底部,所述壳体包括容纳腔,所述容纳腔和所述反应腔相连通;
旋转轴,绕自身轴线可转动地设置在所述壳体的所述容纳腔内,且所述旋转轴的一端伸至所述反应腔内;
旋转盘,和所述旋转轴伸至所述反应腔的一端连接;
石墨托盘,支撑在所述旋转盘上;
加热组件,设置在所述反应腔内,用于对所述石墨托盘加热;
无框电机,包括转子和定子,所述定子固定设置在所述壳体上,所述转子套设在所述旋转轴的外侧壁上且对应设置在所述定子的内部。
在本实用新型的一个实施例中,所述壳体包括:
上固定支架,所述上固定支架的一端和所述反应器的底壁连接,所述上固定支架的另一端和所述无框电机的所述定子的一端连接;
下固定支架,所述下固定支架的一端和所述无框电机的所述定子的另一端连接,所述下固定支架的另一端和底板连接。
在本实用新型的一个实施例中,所述转子与所述定子之间存在1-2mm的间隙。
在本实用新型的一个实施例中,所述旋转装置还包括:
支撑筒,所述支撑筒的一端和所述旋转盘连接,所述支撑筒的另一端和所述石墨托盘连接。
在本实用新型的一个实施例中,所述加热组件包括:
加热器,设置在由所述石墨托盘、所述支撑筒和所述旋转盘围成的加热腔内;
电极板,设置在所述加热腔内且和所述加热器连接;
电极,所述电极的一端和所述电极板连接,所述电极的另一端依次穿过所述旋转盘的中心孔和所述旋转轴的内孔与所述底板连接。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的