[实用新型]一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池有效
申请号: | 202023009736.5 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN213520037U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 刘家梁;赵志国;秦校军;肖平;赵东明;邬俊波;董超;熊继光;王百月;冯笑丹;梁思超;王森;张杰 | 申请(专利权)人: | 华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 贺小停 |
地址: | 100036 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 柔性 基底 钙钛矿 太阳能电池 | ||
本实用新型提供的一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池,包括柔性基底,所述柔性基底上自下至上依次设置有铜金属电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和透明金属对电极层,其中,柔性基底为纸或纺织物;本实用新型以纸或纺织物等为基底材料,大大改善了传统半导体金属氧化物透明电极的易碎性,且具有极广的背底材料适用范围。
技术领域
本实用新型为钙钛矿太阳能电池器件的设计和制备领域,具体涉及一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池。
背景技术
近年来发现的钙钛矿型太阳能电池由于高转换效率、低成本、环境友善、产品可挠化等优点正在受到越来越广泛的关注。其中,新型钙钛矿性太阳能电池的光电转换效率在短短几年内提升了数倍,表现出非常优异的光电性能,基于钙钛矿型半导体材料的器件设计和制备也越发值得探究。然而钙钛矿太阳能电池基底较为单一且价格较为昂贵,且为塑料和金属,易碎,这限制了电池的适用范围。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池,解决了现有的钙钛矿太阳能电池存在易碎的缺陷。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
本实用新型提供的一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池,包括柔性基底,所述柔性基底上自下至上依次设置有铜金属电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和透明金属对电极层,其中,柔性基底为纸或纺织物。
优选地,铜金属电极厚度为300nm。
优选地,所述空穴传输层厚度为50nm。
优选地,所述钙钛矿吸光层的厚度为300-600nm。
优选地,电子传输层的厚度为40-50nm。
优选地,透明金属对电极层的厚度为8-15nm。
优选地,所述柔性基底和钙钛矿吸光层之间设置有铅膜,所述铅膜的厚度为10-200nm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型提供的一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池,以纸或纺织物等为基底材料,大大改善了传统半导体金属氧化物透明电极的易碎性,且具有极广的背底材料适用范围。
附图说明
图1为铜基钙钛矿型太阳能器件的示意图;
其中,1、柔性基底2、空穴传输层3、钙钛矿吸光层4、电子传输层5、金属对电极层。
具体实施方式
在描述本实用新型的实施方案时,为了清楚起见,使用了特定的术语。然而,本实用新型无意局限于所选择的特定术语。应了解每个特定元件包括类似的方法运行以实现类似目的的所有技术等同物。
下面结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。
本实用新型提供的一种基于柔性基底的钙钛矿太阳能电池,包括柔性基底,所述柔性基底上自下至上依次设置有铜金属电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和透明金属对电极层,其中,柔性基底为纸或纺织物。
所述铜金属电极厚度为300nm。
所述空穴传输层厚度为50nm。
所述钙钛矿吸光层的厚度为300-600nm。
电子传输层的厚度为40-50nm。
透明金属对电极层的厚度为8-15nm。
所述柔性基底和钙钛矿吸光层之间设置有铅膜,所述铅膜的厚度为10-200nm。
所述空穴传输层2通过刮刀涂布的方法制备得到。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司,未经华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202023009736.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种医院安保登记的门禁装置
- 下一篇:电机定转子分离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择