[实用新型]一种超薄晶圆治具有效
申请号: | 202023017577.3 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN213401128U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 严立巍;施放;符德荣 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 饶富春 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 晶圆治具 | ||
本实用新型公开了一种超薄晶圆治具,包括固定半环件、第一活动半环件和第二活动半环件,固定半环件与第一活动半环件通过铰链连接,与第二活动半环件通过铰链连接,第一活动半环件和第二活动半环件的衔接处设有衔接开关;固定半环件上固定连接有若干个第一支撑条,均匀排列在固定半环件上,第一活动半环件上固定连接有若干个第二支撑条,均匀排列在第一活动半环件上,第二活动半环件上固定连接有若干个第三支撑条,均匀排列在第二活动半环件上,第二支撑条与第三支撑条处于同一水平高度,第一支撑条的高度大于第二支撑条的高度;本实用新型解决了现有技术中超薄晶圆因厚度过薄而产生的弯曲会产出局部应力不均而极易产生破片的问题。
技术领域
本实用新型涉及晶圆加工技术领域,更具体地说,涉及一种超薄晶圆治具。
背景技术
超薄晶圆(晶圆厚度100um)最薄可到25um在制程设备操作,以及晶圆传送上由于边缘的应力大时会造成破片,所以在接触边缘时治具不能太紧,必须slot够宽,有足够的空间才能避免传送或振动时,接触面有大的应力变化,但超薄晶圆在边缘圆有支撑的状态下,中央会有一定弧度的变曲(弯曲),弯曲的角度及垂直向下的距离(晶圆水平放置时)是由晶圆的尺寸和厚度的函数,为即晶圆尺寸愈大,厚度愈薄弯曲度愈大。晶圆上的薄膜若在晶圆的厚度的1/10以上时,也会对弯曲度有些微的影响。由于晶圆的弯曲,若是治具不能在开口方向有适合的关闭锁定机制,在制程中,尤其是湿制程中,若有液体流动、喷洒、气体流动或是利用IPA表面张力的干燥步骤,甚至旋转或气振动的步骤,超薄晶圆因厚度过薄而产生的弯曲会产出局部应力不均而极易产生破片的问题。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种超薄晶圆治具,解决了现有技术中超薄晶圆因厚度过薄而产生的弯曲会产出局部应力不均而极易产生破片的问题。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现:
一种超薄晶圆治具,包括固定半环件、第一活动半环件和第二活动半环件,所述固定半环件与第一活动半环件通过铰链连接,所述固定半环件与第二活动半环件通过铰链连接,所述第一活动半环件和第二活动半环件的衔接处设有衔接开关;
所述固定半环件上固定连接有若干个第一支撑条,若干个第一支撑条均匀排列在固定半环件上,所述第一活动半环件上固定连接有若干个第二支撑条,若干个第二支撑条均匀排列在第一活动半环件上,所述第二活动半环件上固定连接有若干个第三支撑条,若干个第三支撑条均匀排列在第二活动半环件上,所述第二支撑条与第三支撑条处于同一水平高度,所述第一支撑条的高度大于第二支撑条的高度。
作为本实用新型的一种优选方案,所述第一活动半环件和第二活动半环件的尺寸相同。
作为本实用新型的一种优选方案,所述固定半环件、第一活动半环件和第二活动半环件构成管状。
作为本实用新型的一种优选方案,所述固定半环件、第一活动半环件和第二活动半环件的材质为不锈钢。
本实用新型的有益效果:
1、根据晶圆弯曲距离及弯曲角度的准确估算,针对固定尺寸厚度的晶圆特定设计关闭(活动)半环治具的间距。
2、活动式半环状治具的设计与制作可准确控制关闭时垫片低于超薄晶圆的向下弯曲变量,左右半环交错形成封闭开口的半环闸门。
3、固定半环治具与活动开关半环治具结合形成合适的交错力度足以确保晶圆在制程中,即不承受额外治具所施加的应力,又能承受足够弯度及移动的容忍空间,而晶圆也不会脱离限定的空间而产生大的移位或弯曲而导至破损。
4、打开关闭的机构顺着晶圆半环状的边缘关闭和开启,如何环状的开门或窗,可用手动或机械方式关闭或开启,不与晶圆边缘产生任何碰撞或磨擦。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造