[实用新型]封装基板

说明书

本实用新型属于封装基板技术领域，尤其涉及一种封装基板。包括金属基材，金属基材的表面设置有蜂巢微孔，金属基材的表面镀有一层硬质绝缘层，硬质绝缘层的表面设置有一层钛合金网层，钛合金网层的表面设置有一层导电层。该封装基板以金属基材作为基材，并在基材的表面进行纳米微孔处理形成蜂巢微孔，蜂巢微孔抵抗外界冲击，防止金属基材在冷热冲击过程中发生脱离和开裂，金属基材的表面由内至外依次设置硬质绝缘层、钛合金网层和导电层，硬质绝缘层可对金属基材保护和绝缘，钛合金网可抵抗金属基材的冷热冲击应变，在达到良好导热特性的效果，还能保证自身抵抗冷热冲击应变的强度，有效提升封装基板的实用性能。

技术领域

本实用新型属于封装基板技术领域，尤其涉及一种封装基板。

背景技术

电子基板是半导体等电子元件芯片封装的载体，搭载电子元器件的支撑，构成电子电路的基盘，按其结构可分为普通基板、印制电路板、模块基板等几大类，主要有电气特性的保持、芯片保护、应力缓和及尺寸调整配合四大功能，它的作用是实现和保持从集成电路器件到系统之间的连接，包括电学连接和物理连接。目前，集成电路芯片的I/O线越来越多，它们的电源供应和信号传送都是要通过封装来实现与系统的连接。芯片的速度越来越快，功率也越来越大，使得芯片的导热问题日趋严重，由于芯片钝化层质量的提高，封装用以保护电路功能的作用其重要性正在下降。

现有的封装基板多采用两种成型方式，一种是以陶瓷覆铜材料作为基材，通过打磨—清洗—添加助焊剂—过锡炉等工艺制程，另一种为以铜-陶瓷烧结的合金材料作为基材，经过排导流片—添加助焊剂—过锡炉等工艺制程。

以上无论何种成型方式，其产生的基板表面虽然可以达到一定的绝缘效果，但制造基板的过程不仅工艺流程较为复杂，异性加工难度大，消耗大量的生产成本，且基板上锡均采用过锡炉工艺，风险性较大，铜箔之间容易产生连锡现象，出炉温差较大，可能造成基板破裂，同时，两种基材及其所采用的工艺流程产生的导热基板的热传导率均不超过22K(w/m-k)，采用该种基板制作的线路对半导体等电子元件进行封装将无法满足半导体等电子元件LED的导热需求，导致半导体等电子元件的性能降低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种封装基板，旨在解决现有技术中的封装基板导热效率较低，生产成本较高的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供的一种封装基板，包括金属基材，所述金属基材的表面设置有若干经纳米微孔处理并间隔设置的蜂巢微孔，所述金属基材的表面镀有一层硬质绝缘层，所述硬质绝缘层用于对金属基材进行绝缘，所述硬质绝缘层的表面设置有一层钛合金网层，所述钛合金网层的表面设置有一层导电层，所述导热板、所述硬质绝缘层和所述钛合金网层的硬度依序递增。

可选地，所述金属基材由铝合金制成，所述硬质绝缘层为氧化铝薄膜，所述氧化铝薄膜的厚度在25μm～50μm之间。

可选地，所述金属基材由纯铜材料制成，所述硬质绝缘层为环氧树脂薄膜，所述环氧树脂薄膜的厚度在15μm～30μm之间。

可选地，所述金属基材和所述硬质绝缘层之间设置有第一渗透共生层，所述第一渗透共生层由所述金属基材的表面和硬质绝缘层的表面相互渗透咬合而成，所述第一渗透共生层的厚度在2μm～5μm之间。

可选地，所述金所述硬质绝缘层和所述钛合金网层之间设置有第二渗透共生层，所述第二渗透共生层由所述硬质绝缘层的表面和钛合金网层的表面相互渗透咬合而成。

可选地，所述蜂巢微孔的孔深、孔径和相邻所述蜂巢微孔之间的间距均在100nm～2000nm之间。

可选地，所述导电层为纯铜层，所述导电层的厚度在35μm～75μm之间。

可选地，所述纯铜层的表面镀有防氧化层。

可选地，所述防氧化层为黄金，所述防氧化层的厚度在0.08μm～0.15μm之间。