[实用新型]一种低寄生电感功率模块

权利要求书

1.一种低寄生电感功率模块，其特征在于，包括底板以及与设置在所述底板上方的外壳；正极端子、负极端子、输出端子、驱动端子从所述外壳的内部穿出；其中，正极端子与负极端子正对设置，向内侧弯折；输出端子位于正极端子、负极端子的侧面，且与正极端子、负极端子呈垂直设置，也向内部弯折；所述驱动端子设置在与所述输出端子相对的另外一侧。

2.根据权利要求1所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，在所述正极端子、负极端子与所述输出端子之间的外壳上方设置有绝缘隔条。

3.根据权利要求1所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述底板上设置有功率绝缘基板，所述功率绝缘基板的上侧的金属层包括分离的正极铜层、负极铜层、输出铜层；所述正极铜层上设置有所述正极端子、上桥开关芯片以及二极管芯片；所述负极铜层上设置有所述负极端子；所述输出铜层上设置有所述输出端子、下桥开关芯片和二极管芯片；部分输出铜层位于正极铜层、负极铜层之间，且呈“T”字形。

4.根据权利要求3所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述正极铜层、输出铜层上还分别设置一块栅阻绝缘基板；所述底板侧边上方设置有驱动绝缘基板，所述驱动绝缘基板的上方通过钎焊或超声波金属焊连接有驱动端子。

5.根据权利要求4所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述栅阻绝缘基板通过焊接或压接在功率模块绝缘基板上，栅阻绝缘基板上分布着若干个栅阻。

6.根据权利要求4所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述驱动绝缘基板通过驱动板连接键合线与栅阻绝缘基板的相应铜层连接，其中栅极键合线经过栅极电阻后连接开关芯片的栅极，源极/发射极键合线与开关芯片的源极/发射极相连。

7.根据权利要求1所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述正极端子和所述负极端子的结构相同，在端子的上方设置有与外部电源或负载相连的母排连接孔，下方设置有若干焊接孔。

8.根据权利要求3所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述上桥开关芯片和所述下桥开关芯片为IGBT芯片、FRD芯片、MOSFET芯片、SBD芯片的一种或几种。

9.根据权利要求3所述的低寄生电感功率模块，其特征在于，所述正极铜层与所述负极铜层的宽度一致，所述输出铜层的宽度大于正极铜层、负极铜层的宽度。