[实用新型]一种集成光电传感器

权利要求书

1.一种集成光电传感器，其特征在于，包括半导体衬底，以及制备在衬底上的光敏掺杂区、掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层、栅电极和隔离区；

所述掺杂源区和所述掺杂漏区间隔设置于所述衬底的顶部，所述掺杂源区顶部形成源极电极，所述掺杂漏区顶部形成漏极电极；所述栅绝缘层设置于掺杂源区和掺杂漏区之间，其顶部设置有栅电极；所述掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层和栅电极形成场效应晶体管；

所述光敏掺杂区与所述衬底形成光敏二极管，所述光敏掺杂区顶部形成光敏二极管的顶部电极，所述衬底为光敏二极管的底部电极并与场效应晶体管的背沟道相连；

所述隔离区设置于所述光敏二极管与所述场效应晶体管之间。

2.根据权利要求1所述的集成光电传感器，其特征在于，所述衬底为p-型或n-型的硅或锗晶片。

3.根据权利要求2所述的集成光电传感器，其特征在于，所述衬底上还生长有外延层，其为在硅或锗晶片上外延生长的p-型或n-型半导体层；所述光敏掺杂区、掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层、栅电极和隔离区制备在外延层上。

4.根据权利要求1所述的集成光电传感器，其特征在于，所述光敏二极管为PN型或PIN型；所述场效应晶体管为p-MOSFET或n-MOSFET。

5.根据权利要求1所述的集成光电传感器，其特征在于，其外围还设置有深槽隔离区，以隔离相邻两光电传感器。

6.根据权利要求1所述的集成光电传感器，其特征在于，其为环形结构，所述光敏二极管形成中心圆区域，所述场效应晶体管的漏极电极、栅极电极和源极电极依次以环形由内而外排布在光敏二极管外围。

7.根据权利要求1所述的集成光电传感器，其特征在于，其为方形结构，所述场效应晶体管的漏极电极、栅极电极和源极电极以条形形状并排设置在方形结构的一角处，方形结构的其余部分为光敏二极管区域。