[实用新型]一种磷化铟异质结双极型晶体管有效
| 申请号： | 202023047224.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN214588829U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 吴立枢;戴家赟;孔月婵;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/732;H01L29/417 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市秦淮区永*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟异质结双极型 晶体管 | ||
1.一种磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，由下至上设置有集电极(105)和基极(104)，所述基极(104)上方设置有基极金属(103)和发射极(102)，所述发射极(102)上方设置有发射极金属(101)；所述集电极(105)底部设置有集电极金属(111)，集电极金属(111)与高热导率衬底(115)金属键合。
2.根据权利要求1所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述集电极金属(111)下方设置有键合金属一(113)，所述高热导率衬底(115)上方设置有键合金属二(114)。
3.根据权利要求2所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述键合金属一(113)与键合金属二(114)相接触的面大小相同。
4.根据权利要求2所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述键合金属一(113)厚度500-1000纳米。
5.根据权利要求2所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述键合金属二(114)厚度500-1000纳米。
6.根据权利要求1或2所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述高热导率衬底(115)为碳化硅或者金刚石。
7.根据权利要求1或2所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述集电极(105)、基极(104)、基极金属(103)、发射极(102)和发射极金属(101)组成立体结构的四周和上方覆有正面BCB材料(108)，所述正面BCB材料(108)顶部与发射极金属(101)顶部平齐。
8.根据权利要求7所述的磷化铟异质结双极型晶体管，其特征在于，所述集电极金属(111)四周覆有背面BCB材料(112)，所述背面BCB材料(112)位于正面BCB材料(108)下方。
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