[实用新型]一种等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔主体，所述反应腔主体的顶部设置有等离子体通道板，所述等离子体通道板包括：等离子体通道板主体；环绕所述等离子体通道板主体的侧部的通道板定位件；

位于所述通道板定位件和所述反应腔主体的顶壁之间的导电导热环；

位于所述等离子体通道板主体上方的等离子体发生单元。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环的表面硬度小于所述通道板定位件的硬度。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环为石墨导电导热环。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环包括导电导热环主体、位于所述导电导热环主体顶部的第一膜层、位于导电导热环主体底部的第二膜层；第一膜层、导电导热环主体以及第二膜层沿着导电导热环主体的中心轴排布；所述第一膜层与所述通道板定位件接触，所述第二膜层与反应腔主体的顶壁接触；所述导电导热环主体的硬度大于第一膜层和第二膜层的硬度，第一膜层和第二膜层的硬度小于所述通道板定位件的硬度。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环主体为铝导电导热环主体，所述第一膜层和第二膜层的材料为石墨膜层。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环的厚度为0.08毫米~0.15毫米。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环的电阻率小于或等于1×10^-5Ω*m；所述导电导热环的导热率大于或等于100W/(m*K)。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电导热环接地。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：冷却系统，所述冷却系统包括：冷源；位于所述反应腔主体的顶壁中的通道，所述通道与所述冷源通过管道连通。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述通道板定位件中具有贯穿所述通道板定位件的若干第一定位孔；所述导电导热环中具有贯穿所述导电导热环的若干第二定位孔，第一定位孔和第二定位孔贯通；

所述等离子体处理装置还包括：紧固件，所述紧固件紧固所述通道板定位件和导电导热环至所述反应腔主体的顶壁，所述紧固件位于第一定位孔和第二定位孔中。