[实用新型]一种电子气体除氧杂质系统有效
申请号: | 202023051987.X | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN214261301U | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 刘文丽;李飞娥;王俊果;郭帅杰;韩列光;姬文博;刘乐通 | 申请(专利权)人: | 伊川湄格气体有限公司 |
主分类号: | B01D53/22 | 分类号: | B01D53/22;B01D53/00;B01D53/04 |
代理公司: | 河南广文律师事务所 41124 | 代理人: | 王自刚 |
地址: | 471311 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电子 气体 杂质 系统 | ||
本实用新型涉及电子气除氧技术领域,公开的一种电子气体除氧杂质系统,包括:聚酰胺氮膜系统、液化系统、分子筛除氧塔,所述聚酰胺氮膜输入端连接电子气的源管道,聚酰胺氮膜输出端通过管道与液化系统联通,液化系统通过管道与分子筛除氧塔的输入接口联通,分子筛除氧塔的顶端输出接口与排氧管联通,分子筛除氧塔的底端输出接口与除氧电子气的净化管联通。本实用新去除了电子气体的氧气及其他杂质,提高了电子气体的纯度,纯度达99.99%,满足了半导体行业的使用要求。
技术领域
本实用新型涉及气体除杂技术领域,尤其涉及一种电子气体除氧杂质系统。
背景技术
目前,半导体工业用的气体统称电子气体。电子气体是特种气体的一个重要分支。电子气体按纯度等级和使用场合,可分为电子级,LSI大规模集成电路级,VLSI超大规模集成电路级和ULSI特大规模集成电路级。在半导体工艺中,电子气体常用于等离子刻蚀或反应离子刻蚀二氧化硅工艺,要求纯度达99.99%,由于电子气体含有氧气及其他杂质,未达到半导体行业的使用要求。
发明内容
本实用新型目的是为了解决现有技术中存在的问题,提供一种电子气体除氧杂质系统。
为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:
一种电子气体除氧杂质系统,包括:聚酰胺氮膜系统、液化系统、分子筛除氧塔,所述聚酰胺氮膜系统输入端连接电子气的源管道,聚酰胺氮膜系统输出端通过第一管道与液化系统联通,液化系统通过第二管道与分子筛除氧塔的输入接口联通,分子筛除氧塔的顶端输出接口与排氧管联通,分子筛除氧塔的底端输出接口与除氧电子气的净化管联通。
一种电子气体除氧杂质系统,所述聚酰胺氮膜系统的底端设置有再利用回收气体管。
一种电子气体除氧杂质系统,所述分子筛除氧塔的分子筛为碳分子筛。
由于采用如上所述的技术方案,本实用新型具有如下优越性:
一种电子气体除氧杂质系统,能够去除了电子气体的含氧及其他杂质,提高了电子气体的纯度,纯度达99.99%,满足了半导体行业的使用要求。其结构简单,操作方便,生产成本低。
附图说明
图1为电子气体除氧杂质系统的结构示意图。
图中,1-聚酰胺氮膜系统,2-液化系统,3-分子筛除氧塔,4-源管道,5-第一管道,6-第二管道,7-排氧管,8-净化管,9-回收气体管。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
如图1所示,一种电子气体除氧杂质系统,包括:聚酰胺氮膜系统1、液化系统2、分子筛除氧塔3,所述聚酰胺氮膜系统1输入端连接电子气的源管道4,聚酰胺氮膜系统1输出端通过第一管道5与液化系统2联通,液化系统2通过第二管道6与分子筛除氧塔3的输入接口联通,分子筛除氧塔3的顶端输出接口与排氧管7联通,分子筛除氧塔3的底端输出接口与除氧电子气的净化管8联通。所述聚酰胺氮膜系统1的底端设置有再利用回收气体管9。所述分子筛除氧塔3的分子筛为碳分子筛。
使用时,电子气流通过源管道4进入聚酰胺氮膜系统1除废气,同时,将渗透废气通过回收气体管9离开进行回收,随后再使用。
通过聚酰胺氮膜系统1净化的电子气通过第一管道5进入液化系统2对电子气液化。再进入分子筛除氧塔3除氧。分子筛除氧塔3排出的氧气通过排氧管7排出离开进行回收,为随后再使用。分子筛除氧塔3除氧的电子气通过净化管8回收液化的电子气。
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