[实用新型]一种增强型半导体器件有效

专利信息
申请号: 202023057904.8 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN213635993U 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 程凯 申请(专利权)人: 苏州晶湛半导体有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/778
代理公司: 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 代理人: 孟潭
地址: 215123 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 增强 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种增强型半导体器件,其特征在于,包括:

衬底;

p型半导体层,所述p型半导体层设置在所述衬底上;

n型半导体层,所述n型半导体层设置在p型半导体层上,所述n型半导体层的栅极区域具有第一凹槽,所述第一凹槽贯穿所述n型半导体层;

沟道层,所述沟道层保形地设置在n型半导体层上以及所述第一凹槽内;

势垒层,所述势垒层保形地设置在沟道层上。

2.根据权利要求1所述的增强型半导体器件,其特征在于,还包括:

位于所述势垒层源极区域的源极、位于所述势垒层栅极区域的栅极以及位于所述势垒层漏极区域的漏极。

3.根据权利要求1所述的增强型半导体器件,其特征在于,还包括:

所述p型半导体层、所述n型半导体层、所述沟道层及所述势垒层为GaN基材料。

4.根据权利要求1所述的增强型半导体器件,其特征在于,所述n型半导体层的厚度为12-20nm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的增强型半导体器件,其特征在于,还包括非故意掺杂的氮化物,所述非故意掺杂的氮化物位于所述p型半导体层上,所述第一凹槽贯穿所述n型半导体层,暴露出所述非故意掺杂的氮化物的栅极区域。

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