[实用新型]晶圆双面清洗设备有效
申请号: | 202023058925.1 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN213988837U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面 清洗 设备 | ||
1.一种晶圆双面清洗设备,其特征在于,包括:晶圆承载装置、第一清洗组件及第二清洗组件,晶圆承载装置用于承载晶圆,第一清洗组件及第二清洗组件用于对晶圆的两个待清洗表面进行清洗;所述第一清洗组件及第二清洗组件均包括海绵刷、氨水供应装置及去离子水供应装置,所述氨水供应装置位于所述海绵刷背离待清洗晶圆的一侧,且所述氨水供应装置与氨水供应源相连接;所述去离子水供应装置与所述海绵刷相邻,用于将去离子水供应至所述海绵刷,且所述去离子水供应装置与去离子水供应源相连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述海绵刷为圆筒状结构,所述去离子水供应装置嵌设于所述海绵刷内。
3.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述氨水供应装置包括氨水供应管路及设置于所述氨水供应管路上的多个喷嘴,所述多个喷嘴沿平行晶圆径向的方向间隔排布于所述氨水供应管路上。
4.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述去离子水供应装置包括去离子水管路,所述去离子水管路上设置有喷嘴。
5.根据权利要求4所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述喷嘴为多个,多个喷嘴在所述去离子水管路的表面呈多行多列排布。
6.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述海绵刷、氨水供应装置及去离子水供应装置的长度均不小于晶圆的直径。
7.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述晶圆承载装置包括多个滚轴,所述多个滚轴间隔分布,待清洗的晶圆被所述多个滚轴夹持住。
8.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述海绵刷包括PVA海绵刷,所述海绵刷表面设置有凸点结构。
9.根据权利要求1所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述晶圆双面清洗设备还包括旋转装置,与所述晶圆和/或所述海绵刷相连接。
10.根据权利要求1-9任一项所述的晶圆双面清洗设备,其特征在于,所述晶圆双面清洗设备还包括UV灯,用于对晶圆进行干燥。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造