[实用新型]一种静电夹盘及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202023059661.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN213660342U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 黄国民;郭二飞;赵函一;吴狄;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种静电夹盘，其用于等离子体处理装置，其特征在于：包括：基部、夹盘和设置在基部与夹盘中间的粘接部；
其中，粘接部用于将基部和夹盘粘接在一起；
所述粘接部具有一恒定厚度，且粘结部具有一传热系数；
所述粘接部包括至少两层粘接层，不同层的所述粘接层的材料具有不同于其他层的导热系数，且不同层的所述粘接层具有各自的层厚度，所有粘接层的层厚度相加等于所述恒定厚度；
且不同层的所述层厚度的变化对应不同的所述传热系数。
2.如权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于：同一层的所述粘接层具有至少两个区域，不同的所述区域的材料具有不同的导热系数。
3.如权利要求2所述的静电夹盘，其特征在于：所述导热系数低的区域对应基片上温度高的位置。
4.如权利要求2所述的静电夹盘，其特征在于：一个所述区域与另一所述区域之间的边界处具有缓冲线，所述缓冲线通过区域之间相互入侵的方式沿着整个所述边界形成。
5.如权利要求4所述的静电夹盘，其特征在于：所述缓冲线为锯齿状、矩行齿状或波浪状。
6.如权利要求1-5任一所述的静电夹盘，其特征在于：所述粘接层的材料为铟、硅、或环氧树脂。
7.如权利要求1-5任一所述的静电夹盘，其特征在于：所述夹盘的材料为陶瓷，所述基部的材料为金属。
8.一种静电夹盘，其用于等离子体处理装置，其特征在于：包括：基部、夹盘和设置在基部与夹盘中间的粘接部；
其中，粘接部用于将基部和夹盘粘接在一起；
所述粘接部具有一恒定厚度；
所述粘接部包括至少一层粘接层，且所述粘接层具有各自的层厚度，所有粘接层的层厚度相加等于所述恒定厚度；
同一层的所述粘接层具有至少两个区域，不同的所述区域之间具有不同的导热系数的材料。
9.如权利要求8所述的静电夹盘，其特征在于：所述导热系数低的区域对应基片上温度高的位置。
10.如权利要求8或9所述的静电夹盘，其特征在于：一个所述区域与另一所述区域之间的边界处具有缓冲线，所述缓冲线通过区域之间相互入侵的方式沿着整个所述边界形成。
11.如权利要求10所述的静电夹盘，其特征在于：所述缓冲线为锯齿状、矩行齿状或波浪状。
12.一种等离子体处理装置，其包括如权利要求1-11任一所述的静电夹盘。
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