[实用新型]半导体零部件和等离子处理装置有效
| 申请号： | 202023059665.X | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN214099576U | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 孙祥;段蛟;陈星建 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 零部件 等离子 处理 装置 | ||
1.一种半导体零部件，其特征在于，包括：
零部件本体；
耐腐蚀涂层，其材料包括稀土氧化物或者稀土氟化物，位于所述零部件本体的表面，所述耐腐蚀涂层具有修饰面，所述修饰面具有原子缺陷，所述原子缺陷被填充离子修饰。
2.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的本征材料与修饰后耐腐蚀涂层的晶型相同。
3.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层中具有原子缺陷的厚度范围为：0.5微米～100微米。
4.如权利要求1所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为结晶结构；所述耐腐蚀涂层中原子缺陷的浓度为：103原子数/平方厘米～107原子数/平方厘米。
5.一种等离子处理装置，其特征在于，包括：
反应腔；
如权利要求1至权利要求4任一项所述的半导体零部件，位于所述反应腔内。
6.如权利要求5所述的等离子处理装置，其特征在于，所述等离子处理装置为等离子刻蚀装置或者等离子清洗装置。
7.如权利要求6所述的等离子处理装置，其特征在于，当等离子刻蚀装置为电感耦合等离子处理装置时，所述零部件包括：陶瓷板、内衬套、气体喷嘴、气体分配板、气管法兰、静电吸盘组件、覆盖环、聚焦环、绝缘环或等离子约束装置中的至少一种。
8.如权利要求6所述的等离子处理装置，其特征在于，当等离子刻蚀装置为电容耦合等离子处理装置时，所述零部件包括：喷淋头、上接地环、移动环、气体分配板、气体缓冲板、静电吸盘组件、下接地环、覆盖环、聚焦环、绝缘环或等离子约束装置中的至少一种。
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