[实用新型]测光表

权利要求书

1.一种测光表(1)，包括壳体(2)，所述壳体(2)开设有观察口(21)，其特征在于：所述观察口(21)处设置有数码管(3)，所述数码管(3)安装在壳体(2)内，所述数码管(3)耦接有光照强度检测电路，光照强度检测电路用于将光信号转换成光照强度数值并呈现在数码管(3)上；所述光照强度检测电路包括：

光接收模块(4)，用于接收光信号并将光信号并输出光电信号；

运算模块(5)，耦接于光接收模块(4)以在接收到光电信号时输出激活信号以及显示信号；

升压模块，耦接于单片机运算模块(5)以在接收到激活信号后输出+5V供电电压；

显示模块，耦接于升压模块以及运算模块(5)以在获得+5V供电电压时将显示信号转换成光照强度数值并显示于数码管(3)。

2.根据权利要求1所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述光接收模块(4)包括：

信号接收单元(41)，用于接收光信号并将光信号转换成光电信号；

信号放大单元(42)，所述信号放大单元(42)耦接于信号接收单元(41)并设置有放大比例系数，当接收到光电信号时对光电信号进行信号放大处理；

开关单元(43)，耦接于信号放大单元(42)以在光电信号完成信号放大处理后输出开关信号控制光电信号输出至运算模块(5)。

3.根据权利要求2所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述信号接收单元(41)包括红外接收二极管SUN-BAT，所述红外接收二极管SUN-BAT的阴极接地，所述红外接收二极管SUN-BAT的阳极耦接于增强型MOS管Q7的漏极，所述增强型MOS管Q7的源极接地，所述增强型MOS管Q7的栅极耦接于运算模块(5)，所述红外接收二极管SUN-BAT的阳极与强型MOS管Q7的漏极的连接节点耦接于信号放大单元(42)。

4.根据权利要求3所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述信号放大单元(42)包括运算放大器U2，所述运算放大器U2的第三引脚耦接有可调电阻VR1，可调电阻VR1的固定端耦接于红外接收二极管SUN-BAT的阳极与强型MOS管Q7的漏极的连接节点，可调电阻VR1的另一固定端接地，所述运算放大器U2的第四引脚耦与第四电阻R4串联后接地，所述运算放大器U1的第一引脚与第三电阻R3串联后耦接于第四电阻R4与运算放大器U2的第二引脚的连接节点，同时，所述运算放大器U1的第一引脚耦与第三电阻R3的连接节点耦接于开关单元(43)。

5.根据权利要求4所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述开关单元(43)包括增强型MOS管Q1，所述增强型MOS管Q1的源极接地，所述增强型MOS管Q1的栅极耦接于运算放大器U1的第一引脚与第三电阻R3的连接节点，所述增强型MOS管Q1的漏极耦接于运算模块(5)。

6.根据权利要求5所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述运算模块(5)包括单片机U1，所述单片机U1的第九引脚耦接于增强型MOS管Q7的栅极，所述单片机U1的第10引脚耦接于增强型MOS管Q1的漏极，所述单片机U1的第八引脚耦接有3V电源，所述单片机的第六引脚耦接有P _ON端口，升压模块耦接于P_ON端口；所述单片机U1的第一引脚、第二引脚、第五引脚以及第十一至第二十引脚均耦接于显示模块。

7.根据权利要求6所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述升压模块包括增强型MOS管Q6，所述增强型MOS管Q6的栅极耦接于P_ON端口，所述增强型MOS管Q6的源极耦接于3V电源，所述增强型MOS管Q6的漏极耦接有升压转换器U3，所述升压转换器U3的第四引脚和第五引脚均耦接于增强型MOS管的漏极，所述升压转换器U3的第二引脚接地，所述升压转换器U3的第四引脚与增强型MOS管Q6的漏极的连接节点耦接有电感L1，电感L1的另一端耦接于稳压二极管D1的阳极，稳压二极管D1的阴极输出+5V电压，所述升压转换器U3的第一引脚耦接于稳压二极管D1的阳极，所述稳压二极管D1的阴极与电容EC4串联后接地、与电容EC4串联后接地。

8.根据权利要求7所述的一种测光表(1)，其特征在于：所述数码管(3)位于显示模块，数码管(3)的芯片的第一引脚耦接于单片机U1的第十七引脚、第二引脚耦接于单片机U1的第十八引脚、第三引脚耦接于单片机U1的第十九引脚、第四引脚耦接于单片机U1的第二十引脚、第五引脚耦接于单片机U1的第十五引脚、第七引脚耦接于单片机U1的第十四引脚、第十引脚耦接于单片机U1的第十六引脚、第十一引脚耦接于单片机U1的第五引脚；所述数码管(3)的芯片的第六引脚耦接于三极管Q5的集电极，所述三极管Q5的基极耦接于三极管Q11的集电极，所述三极管Q11的基极耦接于单片机U1的第十二引脚；所述数码管(3)的芯片的第八引脚耦接于三极管Q4的集电极，所述三极管Q4的基极耦接于三极管Q10的集电极，所述三极管Q10的基极耦接于单片机U1的第十三引脚；所述数码管(3)的芯片的第九引脚耦接于三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极耦接于三极管Q9的集电极，所述三极管Q9的基极耦接于单片机U1的第一引脚；所述数码管(3)的芯片的第十二引脚耦接于三极管Q2的集电极，所述三极管Q2的基极耦接于三极管Q8的集电极，所述三极管Q8的基极耦接于单片机U1的第二引脚；三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4以及三极管Q5的发射极均耦接于+5V电压。