[实用新型]用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构有效
| 申请号： | 202023061674.2 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN213459739U | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/30 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 外延 生长 氮化 晶体 复合 衬底 结构 | ||
1.一种用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底，其特征在于包括衬底和形成在衬底表面的氮化铝缓冲层，所述氮化铝缓冲层的表面分布有多个孔洞。
2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述氮化铝缓冲层为岛状结构，所述孔洞沿所述氮化铝缓冲层的厚度方向贯穿所述的氮化铝缓冲层，或者，所述孔洞分布在所述氮化铝缓冲层的表层，所述孔洞的深度与所述氮化铝缓冲层的深度之比1/3～1/2。
3.根据权利要求2所述的复合衬底，其特征在于：所述氮化铝缓冲层包括垂直设置在所述衬底表面的多个柱体，所述多个柱体形成所述的岛状结构，所述多个柱体之间形成所述多个孔洞；
和/或，所述柱体为矩形或圆柱形结构。
4.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述衬底包括蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的厚度为430～650um。
5.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述氮化铝缓冲层的厚度为20～50nm。
6.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述多个孔洞于所述氮化铝缓冲层内的体积占比为1/100～1/10。
7.根据权利要求1或6所述的复合衬底，其特征在于：所述多个孔洞的直径为10～100pm。
8.一种氮化镓外延结构，其特征在于包括：权利要求1-7中任一项所述的复合衬底；以及，生长在所述氮化铝缓冲层上的氮化镓层。
9.根据权利要求8所述的氮化镓外延结构，其特征在于：所述氮化镓层具有连续平整的界面结构。
10.根据权利要求8所述的氮化镓外延结构，其特征在于：所述氮化镓层的厚度为1～4um。
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