[实用新型]具有浓度自调节功能的湿法清洗设备有效
申请号: | 202023069353.7 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN213988838U | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 吴镐硕;朴灵绪 | 申请(专利权)人: | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 215024 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 浓度 调节 功能 湿法 清洗 设备 | ||
1.一种具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,包括:清洗槽、补给管路、浓度监测装置及控制装置;所述清洗槽用于承载清洗液及待清洗件;所述补给管路一端与所述清洗槽相连通,另一端与补给源相连接,所述补给管路上设置有电动阀;所述浓度监测装置位于所述清洗槽内;所述控制装置与所述浓度监测装置及电动阀相连接,以基于所述浓度监测装置的监测结果控制所述电动阀的通断,由此向所述清洗槽内补充所需的化学液,以将所述清洗槽内的清洗液浓度维持在预设值。
2.根据权利要求1所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述清洗槽包括SC-1清洗槽和SC-2清洗槽中的一种或两种,所述补给管路包括氨水补给管路、双氧水补给管路、盐酸补给管路和氢氟酸补给管路,分别连接至对应的补给源。
3.根据权利要求2所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述湿法清洗设备还包括去离子水补给管路,去离子水补给管路一端与去离子水补给源相连接,另一端与所述清洗槽相连通。
4.根据权利要求1所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述清洗槽上还设置有加热装置。
5.根据权利要求1所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述补给管路上还设置有质量流量计。
6.根据权利要求1所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述清洗槽的排液口连接至排液管,所述排液管上设置有排液阀,所述排液阀与所述控制装置相连接。
7.根据权利要求1所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述清洗槽内还设置有液位计。
8.根据权利要求1所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述湿法清洗设备还包括回收槽,位于所述清洗槽的外围。
9.根据权利要求8所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述回收槽内设置有过滤装置,经过滤后的液体输送回所述清洗槽内。
10.根据权利要求1-9任一项所述的具有浓度自调节功能的湿法清洗设备,其特征在于,所述控制装置为PID控制器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造