[实用新型]一种下电极组件及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202023070019.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN213583694U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 郭二飞;吴磊;叶如彬;黄国民;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 组件 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种下电极组件，用于承载待处理基片，其特征在于，包括：
基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部，所述基座本体上具有焊接线；
静电夹盘，其位于所述基座上方；
边缘环组件，其环绕所述基座和/或静电夹盘设置，且与所述基座和/或静电夹盘之间设有间隙；
所述间隙设有第一保护环，所述第一保护环覆盖所述焊接线。
2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述基座的外侧设有保护层。
3.如权利要求2所述的下电极组件，其特征在于，所述保护层为氧化铝和/或氧化钇材料层，或者硬质阳极氧化层。
4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述台阶部上具有螺孔，所述第一保护环覆盖至少部分螺孔的边沿。
5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环覆盖所述螺孔位于所述间隙内的边沿。
6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述间隙包括第一空隙和第二空隙，所述第一空隙位于所述第一保护环上方，所述第二空隙位于第一空隙下方，所述第二空隙的间隔大于第一空隙的间隔。
7.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述第一空隙与第二空隙的之间的拐角和所述第一保护环接触。
8.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括第二保护环，所述第二保护环设置在所述基座及静电夹盘交界处。
9.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第二保护环至少一部分与所述基座本体和所述边缘环组件相互抵靠。
10.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和/或所述第二保护环与所述基座本体和/或所述边缘环组件接触处设置有凹槽，所述凹槽截面为弧形或框形。
11.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和第二保护环为耐等离子体腐蚀材料。
12.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和第二保护环为高分子材料。
13.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和第二保护环为氟橡胶或全氟橡胶系列。
14.一种等离子体处理装置，其包括真空处理腔室，其特征在于，所述真空处理腔室包括如权利要求1至13任意一项所述的下电极组件。
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